Re: [問題] voltage reference
※ 引述《BruceBowen12 (just defense)》之銘言：
: 請問一下
: 在VOLTAGE REFERENCES使用 運算放大器+電晶體來做
: 運算放大器就使用Folded cascode op
: 我的問題是 要如何調整所要的VOLTAGE REFERENCES大小?
對不起喔 我只知道概念....
概念是
想辦法生出一個固定的電流
這個電流最好不要隨著溫度、製成而改變
然後再用那個電流來產生一個電壓
然後再用那個電壓來產生電流
然後再用電流來產生電壓
中間轉換的過程
也要盡量免於電晶體特性的「不確定性」的影響
: 還有就是如何在標準 CMOS製程中實現BJT?
概念是
使用CMOS製成中doping的步驟
自行定義doping的區域
例如定義出P-substrate裡面有N-well跟P+
這樣就有PNP了
: 另外想再問一下
: HSPICE中 有五種Corner(TT、FF、FS、SS、SF)
: 請問這幾種有什麼差別呢
T是Typical
F是Fast
S是Slow
分別指NFET-typical/PFET-typical
NFET-fast/PFET-fast...等等
有快慢就是眾多製成的變因之一
: 小聲問(ppm是什麼的單位)
parts per million 類似%的用途
: 謝謝各位了
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