Re: [請益] 如何使用蒙地卡羅量測MOS的VT值?

看板Electronics作者 (關鍵的這一年)時間17年前 (2007/05/14 01:11), 編輯推噓3(300)
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※ 引述《SOCJAE (哈哈哈)》之銘言: : 小弟想讓單顆nmos的vt值產生變化, : 然後觀看nmos的輸出電壓變化, : 看了HSPICE的範例, : 但還是不太知道該如何寫, : 小弟我是直接吃.35的model, : 個人是打成下列的樣式,可惜是沒辦法跑的, : 想請問板上大大幫各忙, : 請問要如何寫? 謝謝 : .param vt0=0.6 : ............. : ............. : ............. : .alter : .param vt0=0.7 : .alter : .param vt0=0.8 : .print v(out) : .end 如果你是要跑Monte Carlo simulation 一般來說,你需要個random generator來隨機產生變動量 hspice就我所知可以給Gaussian跟Uniform 你用.alter也不是說不可以 只是若要跑100次MC analysis變成要自己打100次 or 用小程式產生netlist 不過不用這麼麻煩 你把random generator寫好,定義好mean, standard deviation, 最大正負幾個sigma 然後跑.tran時後面加個sweep 並且定義你要跑的MC次數即可 至於你要做的考慮Vt variation 如果你是照你文章這樣寫,我想應該是不行的 因為你要看看你device model裡面,Vt0的名字叫什麼 要取的一模一樣才行喔 -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc) ◆ From: 59.105.177.115

05/14 13:22, , 1F
感恩,感謝~~先試試看囉!
05/14 13:22, 1F

05/14 17:31, , 2F
如果只是要用sweep Vt值,其實不用run MC sim. 吧^^"
05/14 17:31, 2F

05/16 20:11, , 3F
還是沒用出來,vto是吃台積model,直接定義好像也沒辦法...
05/16 20:11, 3F
文章代碼(AID): #16HqQamb (Electronics)
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