Re: [問題] hspice 量測mos當sw之Ron...
※ 引述《nature0702 (Oliver)》之銘言：
: 不好意思 因為之前的文章不好修改 所以再開一篇
: 我是把mos當作sw用 主要就是要比較 單顆mos 和transmission gate 哪一個比較好
: 答案是 transmission gate 因為電阻會越並聯越小
: 而且可以互補 能力不足的地方
: 再來就是想要用hspice 來驗證
: 目前做的有點沒有頭緒
: 所以把程式打上來 希望可以幫我指點
: ***nmos_Ron***
: vcc vdd gnd dc 3.3
: .param wn=3u wp=3u k=1
: mn1 d g s gnd nch l=0.35u w='wn*k'
: vin d gnd dc 1v
: vg g gnd dc 3.3v
: c1 s gnd 1p <---這個接電容不知道有沒有錯 不知道怎麼處理才好
: .dc vin 0 3 0.01 $sweep k 1 10 1 <---應該是用.DC分析吧
: .print dc I(vin) v(d,s) Res=par('v(d,s)/I(vin)')
: .end
: 還會遇到一個問題 就是這樣寫 Vd電壓會等於Vs 電阻等於0
: 可是好像也不能輸出接一個電阻 這樣會有分壓效果
: 剛開始接觸 觀念還不是很好
: 希望 可以幫我解答一下 謝謝
要看TG的電阻我想這樣應該就OK了
mp1 vin 0 op vdd pch l=0.35u w=3u
mn1 vin vdd op 0 nch l=0.35u w=0.8u
vin vin 0 2v
vdd vdd 0 3.3v
.op
.dc vin 0 3.3 0.01
.print rp=par('1/LX8(mp1)') rn=par('1/LX8(mn1)')
+req=par('1/(LX8(mn1)+LX8(mp1))')
.end
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討論串 (同標題文章)
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