Re: [問題] 為什麼BJT的Cπ大於Cμ?
可以用另一種比較白話的解釋
就是在主動模式時 由於be是順篇而bc是逆篇
所以bc之間的空乏區長度會變大,相對的be之間的空乏區長度變小
因此根據電容公式,電容與長度成反比
所以順篇時be之間的電容會比較大,亦即(Cπ)會大於(Cμ)
有錯請指正唷
※ 引述《trueclamp (克藍普)》之銘言：
: ※ 引述《dkfum (？)》之銘言：
: : 為何當BJT操作於順向主動區時，emitter-base capacitance(Cπ)通常會大於
: : collector-base capacitance(Cμ)?
: 因為 Cπ = Cj1 + Cd
: Cμ = Cj2
: 其中Cj為接面電容，Cd為擴散電容
: Cjo
: Cj1 = ------------------- ～ 2Cjo
: (1-Vbe/Vjo)^(1/2)
: Cjo
: Cj2 = -------------------
: (1-Vbc/Vjo)^(1/2)
: Cd = Gm * τF
: 由公式可以看出，之所以Cπ > Cμ，最主要的原因是因為Cd造成
: Cd通常很大(因為BJT的Gm大)
: EB是順偏而有Cd，而BC是反偏所以沒有
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