[問題] 請教Analog MOS的區域
請教Analog MOS的區域
在設計Analog電路時,很多電晶體幾乎都要在Saturation region中
若在CUT OFF REGION時,就沒有電流
但事實上當VGS<Vth、MOSFET無電流通過的敘述和現實有些微小的差異。
在真實的狀況下，因為載子的能量依循波茲曼分佈（Boltzmann distribution）而有
高低的差異。
雖然當VGS<Vth的狀況下，MOSFET的通道沒有形成，但仍然有些具有較高能量的載子可以
從半導體表面流至汲極。
而若是VGS略高於0，但小於Vth的情況下，還會有一個稱為「弱反轉層」
（weak inversion layer）的區域
在半導體表面出現，讓更多載子流過。透過弱反轉而從源極流至汲極的載子數量與VGS的
大小之間呈指數的關係
，這樣的電流又稱為次臨限電流.
問題來了,那我們設計時,用.OP看MOS在CUT OFF區,但有不小的電流
那這MOS是否就是在weak inversion 區呢?
如果是的話,在Analog電路中的mos對於weak inversion 區和飽和區工作有多大差異呢?
ps:我試過加大在weak inversion區的mos的電流,加大一點就會進飽和區了
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