Re: NMOS的 W/L 的問題還有　一個Hspice呼叫製程 …

看板Electronics作者tenshon (關心)時間19年前 (2006/10/15 15:59)推噓1(1推 0噓 0→)

留言1則, 1人參與討論串1/2 (看更多)

※ 引述《blair2 (小b)》之銘言： : 現在假設有NMOS 要實作 : 那一般來說在比值一樣的情況下 : W/L 是 : 30u/10u 比較好? : 還是 : 3u/1u 比較好? 在考量到晶片面積、寄生電容、功率損耗的問題下一般而言做得小一點比較好但是做得小也會有問題存在如short channel effect、hot electron effect 所以單一MOS在已知寬長比的條件下究竟值要取多少就看設計者能接受的範圍在哪裡 : 還有一個小問題 : 在 Hspice 呼叫 .35 製程時 : 就是打 : .lib "檔名.l" TT 就可以了嗎? : 因為每次在 Simulate 後 : 都會看到.lis 的內容中　有一大堆 : .model nch.1 nmos (...........參數值....) : . : . : . : .model nch.2 nmos (...........參數值....) : . : . : 一直到 : . : . : .model nch.49 nmos (...........參數值....) : 這樣是正常的嗎 : 麻煩各位前輩了正常你呼叫了製程檔 .lis自然會把你引用的model貼出來如果不想在.lis看到這堆東西可以這樣寫： .protect ----> 加這行 .lib "檔名.l" tt .unprotect ----> and 這行 -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc) ◆ From: 140.113.150.137

推

blair2

10/15 16:33, , 1^F

10/15 16:33, 1^F

‣ 返回看板[ Electronics ] 電資

‣ 更多 tenshon 的文章

文章代碼(AID): #15CUfakU (Electronics)