Re: [問題] Layout問題!!~~~續
> 版本一：
> ╴╴╴ Vdd
> ︱
> ︱
> ︳——
> 。——︳———— M2 Bulk(Gnd)
> ︳—→
> ︱
> ︱
> ︱
> ︳——
> 。——︳———— M1 Bulk(Gnd)
> ︳—→
> ︱
> ︱
> ￣ ￣ Gnd
> 感覺板上的高手是這個說法!! Layout時，M1的Source往下打Via與Bulk(Gnd)相接，
> M2的Source接到M1的Drain，M2的Bulk即Gnd，所以，接到Gnd Pad的有：M1Bulk與Source
> 、M2Bulk。我覺得這個版本就是電子學教的，Bulk(Body)只有一個，以NMOS來說，Bulk就
> 是接地，所以M2有基體效應。
> 但我有個問題是NMOS的Layout，感覺上每顆NMOS都有自己的Bulk呀，濫問題還是請幫
> 忙回答一下!!~
> 版本二：我的做法
> ╴╴╴ Vdd
> ︱
> ︱
> ︳——
> 。——︳———︱ M2 Bulk與Source相接
> ︳—→–︱
> ︱
> ︱
> ︱
> ︳——
> 。——︳———︱ M1 Bulk與Source相接
> ︳—→–︱
> ︱
> ︱
> ￣ ￣ Gnd
> 首先，聽同學說TSMC 0.18um RF製程，NMOS的Source與Bulk是可以相接的。Lauout時
> ，M1的Source(Metal 3)往下打Via到Bulk(Gnd)，M2的Source(Metal 3)去接M1的Drain同時
> 往下打Via到Bulk，所以!!!真正接到Gnd Pad的只有M1的Source和Bulk。M2孤立，自己
> Source與Bulk相接。
> 感覺上我這個版本好像每顆NMOS都有自己的Bulk，全部都是Bulk與Source相接，
> 只有接地的NMOS才拉到Gnd Pad。但感覺上好像不像電子學教的那樣，到底發生什麼問
> 題了?
> 結論到底是哪個對咧??還是都對呢?? 感謝大家的回答!!!!
首先看你模擬的時候是怎樣
版本一M2有bodyeffect
版本二M2沒有
你模擬的時候用版本一就畫一
用版本二就畫二
你的東西感覺上像一個buffer
建議你全部的body都接到GND 以免往後遭受latch-up的困擾(如果你有其他的PMOS)
不然你的NMOS及PMOS間要隔的夠遠
你的MOS應該用PDK的吧 不建議自己畫 這樣模擬的參數才會跟TSMC比較準
他已經把double guard ring, triple Nwell等等已經劃好了
而且contact via都已經打好了 純粹只要牽線
照著它上面給出來的的metal拉就好 稍微注意一下寄生電容等等的
metal能不跨就盡量不要跨 要跨的話也至少跳個兩三層
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□ 本文章由 davidsu 從 163.30.165.94 發表
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