Re: [問題] 請問TFT與MOS在結構上的差異為何??
※ 引述《Poko (老皮)》之銘言：
: ※ 引述《Poko》之銘言：
: : 我感覺是TFT與MOS的製程都一樣啊
: : 實在不知道兩者在結構上有何不同
: : 請大大幫忙解答一下 謝謝
: 那有沒有人可以提供一下結構是哪邊不同呢
: 因為我找了很久 加上沒有什麼概念
: 重點是急著要 希望好心人可以告訴我答案或是哪邊可以找到答案
: 我只是要結構上的差異就好了 拜託
你想要問的應該是TFT和MOSFET結構的不同點吧
簡單的說
MOSFET是top gate
TFT則是top和bottom gate都可
但是a-Si:H TFT通常是用bottom gate
成長時一次長完gate dielectric (ex:SiNx)和channel
這樣介面特性較好
poly TFT則是先長channel
gate定義好再用ion implant做source和drain的self align
所以MOSFET和poly TFT應該是比較像的
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1月03日﹝木星‧皇后﹞
代表人物： 梅爾吉勃遜
精力旺盛，意志堅定，做任何事都會堅持到底；不輕易妥協，會千方百計說服別人依
照他的方式做事，給別人很大的壓力。
優點是負責盡職，重承諾，守信用；不喜道人長知，值得信賴。
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