[問題] 請教 medici 如何模擬電子trap在SONOS的狀況
各位前輩好
我已經用tsuprem4 畫好SONOS結構了
現在想要模擬電子trap在nitride的特定位置特定電子量
無奈試了很久都失敗了
請教哪位前輩有模擬過類似的結構經驗呢?
我說明我的作法
我已經撰寫好medici id-vg 程式了
所以我在其中加入一段trap語法
讓原本沒TRAP的nitride trap住電荷
語法如下
TRAP Q.FIX=1E18 COND="(@REGION=NITRIDE)&(@X>0.3)&(@X<0.5)"
無奈不管如何排列組合，新增其他參數
vth均沒有改變
請問誰願意提供我意見呢?
感謝感謝
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