Re: [討論] Body effect與電路設計

看板Electronics作者 (davison)時間18年前 (2006/01/27 15:35), 編輯推噓0(000)
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※ 引述《ihlin ()》之銘言: : ※ 引述《pow (FeiFei)》之銘言: : : 雖然PMOS的Bulk是n-well(假設是p type substrate) : : 可是硬要把B接到S 在layout的時候還是挺麻煩的 : : 當然只有畫schematic的話 : : 想怎麼接線就怎麼接 : : 是絕對不會體會到我在講什麼的 : ??不太懂麻煩在哪裡? : 拿tsmc18rf製程舉例的話,PMOS source會接M1, : 然後畫一塊diffusion layer再加個contact不就連好了? : 然後不就頂多要注意如果旁邊有NMOS的話, : 不要把contact放太遠造成latch-up check過不了嗎? : 我是這麼以為的 看了上述的討論,可以了解由於MOS製程和LAYOUT上的限制,所以只好 犧牲body effect...... -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc) ◆ From: 218.172.247.185
文章代碼(AID): #13sSqteh (Electronics)
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