Re: [製程] sol-gel 作SiO2薄膜的厚度

看板ChemEng作者 (小魚)時間14年前 (2010/01/30 23:52), 編輯推噓2(202)
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※ 引述《wuchengyi (巫婆婆)》之銘言: : 目前看到的sol-gel SiO2薄膜都接近100nm以上到幾um, : 想知道是否可以利用此法製作SiO2 的10nm薄膜? 不可能... 首先, sol-gel要製備薄膜通常都是利用spin-coating的方式, 利用提高轉速來降低厚度, 可是轉速提高到一定程度時, 膜就會很容易無法形成連續相, 也就是不能成膜, 此外, sol-gel process過程中solvent的揮發也會造成孔洞產生 所以sol-gel製備出來的膜多為孔洞膜, 若厚度不夠根本無法成膜, 所以要製備超薄(100nm以下)的薄膜, 現在比較可靠的技術多還是利用PVD, CVD的方式達成 -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc) ◆ From: 61.216.1.142

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我是有利用過dipping方式成膜過..我不確定有無10nm沒量過
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但應該也有接近10nm..另外spin想成到這小的膜的話..應該
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solgel沒辦法達成吧..其他東西倒是有可能比10nm小..我曾經
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看過用spin甩有機類東西甩小於10nm
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文章代碼(AID): #1BP5Mxsi (ChemEng)
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