作者 bb7 在 PTT [ Electronics ] 看板的留言(推文), 共55則

[ Electronics ]34 留言, 推噓總分: +12

作者: wwwok - 發表於 2009/10/17 18:58(16年前)

1^F推bb7:這要看你mos是拿來做甚麼的"用途"吧10/17 19:11

2^F→bb7:如果今天拿來做電阻..那L就會比W大了10/17 19:12

3^F→bb7:另外小數點的問題..這要回去看手冊,看製程本身的解析度10/17 19:13

4^F→bb7:以.35um製程為例,你畫到小數點第二位是無意義的10/17 19:13

29^F推bb7:L值大表示channal length modulation效應小,會更接近定電流源10/18 23:59

30^F→bb7:建議回去翻一下AIC課本就可以瞭解了10/19 00:00

[ Electronics ]20 留言, 推噓總分: +7

作者: deathcustom - 發表於 2009/09/12 14:37(16年前)

2^F推bb7:想問一下如果是.35um呢?..vdsat理想範圍大概落在哪邊?09/12 09:20

[ Electronics ]9 留言, 推噓總分: +3

作者: Lary - 發表於 2009/09/11 17:26(16年前)

2^F推bb7:想問一下如果是.35um呢?..vdsat理想範圍大概落在哪邊?09/12 09:20

[ Electronics ]3 留言, 推噓總分: +2

作者: bb7 - 發表於 2009/08/30 01:57(16年前)

3^F→bb7:恩謝謝樓上各位08/30 23:10

[ Electronics ]12 留言, 推噓總分: +3

作者: deathcustom - 發表於 2009/08/27 17:24(16年前)

4^F推bb7:一次就是w=30u....好長......08/27 02:37

[ Electronics ]13 留言, 推噓總分: +7

作者: Shiva - 發表於 2009/08/26 21:13(16年前)

4^F推bb7:一次就是w=30u....好長......08/27 02:37

[ Electronics ]3 留言, 推噓總分: +3

作者: wwwok - 發表於 2009/04/29 23:20(17年前)

1^F推bb7:當然有差..而且差很大...04/30 00:24

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作者: CCMAKE - 發表於 2008/11/05 18:34(17年前)

2^F推bb7:應該是你的W/L超出設計範圍吧??11/05 18:42

3^F→bb7:推錯...抱歉..= =11/05 18:42

[ Electronics ]7 留言, 推噓總分: +2

作者: crazyboy03 - 發表於 2008/11/05 06:38(17年前)

3^F→bb7:應該是你的W/L超出設計值吧?11/05 18:43

[ Electronics ]9 留言, 推噓總分: +2

作者: bb7 - 發表於 2008/09/04 03:25(17年前)

9^F→bb7:恩,已設定完成,謝謝大大們09/05 03:05

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