[問題] 慈濟化學15題 3d 4S能量差異

看板post-b.test作者 (網球丸子)時間10年前 (2014/06/16 14:02), 10年前編輯推噓12(12推 0噓 14→)
留言26則, 7人參與, 最新討論串1/1
大家好 關於這題我其實也有印象亮公有提過 但剛翻了半天找不到 想請問3d能量大於4s這是過度金屬特有特徵? 還是有它的普遍性在? 看推文看的還是有點霧剎剎...想請略知一二的同學幫幫忙解惑 感謝大家! -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 61.230.99.192 ※ 文章網址: http://www.ptt.cc/bbs/post-b.test/M.1402898561.A.194.html
推
06/16 14:37, , 1F
我認為在沒有electron-electron interaction的條件下(例如
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類氫原子),4s能階比3d低. 一但加入電子間的屏蔽與互斥時,能
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階的高低將會有shift. 而且,填入的電子數不同,shift的情況
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也不同. 反正就記住: 過渡金屬"填入電子"時,先填ns,再填
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(n-1)d;"移出電子"時,先移ns,再移(n-1)d
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推
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By the way, 我這題也寫錯XD, 考試時腦子總是特別不靈光
06/16 14:47, 6F
但是照你說的 依據構築原理填入電子時先填入低能階 既然先填ns後填(n-1)d 不就代表 ns的能量較低? 移除電子先移的是外層電子而非高能量電子不是嗎? 如果是的話和本題的關係是...? 不太明白您說的和這題的觀念的關聯在哪裡...這題很單純的問能量高低 根據n+L原則明明是4S比較低 為什麼這題不能夠用這個觀念解釋 判斷3d能量比較低的關鍵點在哪裡? 就像我原文中問的 這是一個通則嗎? n+L規則為什麼不適用這個狀況 只有3d能量小於4S? 4d和5S呢? 4f和5s呢? 這個狀況特殊點在哪? 是過度金屬? 還是有其他 煩請大家解惑了 ※ 編輯: slashmoon (61.230.99.192), 06/16/2014 15:01:20
推
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因為遮蔽效應 4s軌域遮蔽效應較多 有效核電荷較低 故
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軌域能量較高
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我計算出有效核電荷 發現數值差很多 推測應是有普遍性
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推
06/16 15:36, , 10F
從圖來看，4s穿透比較內層位置，因此能量較低會先填
06/16 15:36, 10F
推
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入4s，事實上帶中性時4s3d能量差不多，但正電時就有
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明顯差距，產生離子時，剩餘電子留在3d
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我是參考梁傑普化講義
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推
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樓上正解，請參考我的普化講義page 5-40，有清楚說明
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嗚嗚我是上亮公的普化 只好再找找了
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推
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高中化學概念
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06/16 16:49, , 17F
阿我找到洪亮老師說過的地方了 似乎是用有效核電荷算的
06/16 16:49, 17F
阿似乎還是有點問題 想在問一下 因為亮公解釋內外層問題的時候只有提到2S和2P的差異來自2S貫穿內層比2P的多 受到 核的引力大而導致2S能階較低 所以這裡是理解成因為3D比4S內層 所以同理能量也較低這樣嗎? 如果單純是這樣那n+L規則到底要幹嘛用的=___= 就變所有內層電子能量都比較低了? yes大您說的是針對過度金屬的現象 還是一般元素都有呢? 我還是不知道這個現象是針對4S 3D 還是其他亦同? 梁老師抱歉我是上洪亮老師的課手邊沒有您的講義無法參詳QQ atom95大既然如此可否再詳細些說明呢 感謝 ※ 編輯: slashmoon (61.230.99.192), 06/16/2014 17:01:57
推
06/16 17:10, , 18F
並不是說直接用n值判斷，因為填入電子由低能填到高能
06/16 17:10, 18F
推
06/16 17:12, , 19F
是先填入4s再3d，因為穿透效應
06/16 17:12, 19F
推
06/16 17:15, , 20F
會舉過渡金屬說明是因為很容易混淆，形成帶正電離子
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推
06/16 17:17, , 21F
我想應該是因為吸引力造成3跟4距離差變明顯這時3d低
06/16 17:17, 21F
推
06/16 17:21, , 22F
06/16 17:21, 22F
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06/16 17:28, , 23F
太清楚了!!!!!!!!!感謝你=ˇ=
06/16 17:28, 23F
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06/19 10:54, , 24F
我相信你若會google會找到更多詳細的答案
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06/19 10:54, , 25F
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06/19 10:54, , 26F
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