[討論] 溫度對電阻之探討

看板graduate作者 (阿輝)時間2年前 (2022/04/25 21:48), 編輯推噓1(105)
留言6則, 2人參與, 2年前最新討論串1/1
大家好,不確定發在本版是否合適,若有違規煩請告知,將盡快刪除,謝謝~ 小弟想探討Temperature Coefficient of Resistance(TCR)的問題! 各金屬在室溫時都有其Mean Free Path而造就不同的室溫下電阻(Rt)。 且升溫後會因為晶格震盪抑或是其他原因而改變其MFP造成電阻變化。 這邊有兩個問題想請教各位大神: (1)是什麼的參數不同造就不同金屬間的Rt不同? (2) 是什麼的變化造成不同金屬對溫度的敏感度不同? 也就是所謂的TCR不同? 還煩請各位大神幫忙解題,若有相對應公式會更好,謝謝大家! -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 27.247.137.112 (臺灣) ※ 文章網址: https://www.ptt.cc/bbs/graduate/M.1650894536.A.97A.html

04/27 13:26, 2年前 , 1F
要往 phonon scattering, lattice constant change 的
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方向想
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嗨嗨D大,有往這方面想過,但攤開TCR表格跟這些參數比
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較的話,並沒有正相關的trend,且還更深入看了Density o
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04/27 19:12, 2年前 , 5F
f state等等的因素,還是找不到相關趨勢......哈哈 不確
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04/27 19:13, 2年前 , 6F
定是不是因為這樣所以都沒人討論過相關主題
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