[問題] FinFET製程poly profile

看板comm_and_RF作者 (Johnson)時間2年前 (2023/08/29 10:51), 編輯推噓0(0推 0噓 1→)
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小弟最近在研究FinFET製程中Poly的profile 想問各位大大我的認知是不是正確的： 示意圖中poly的gate height位子 會作成上寬下窄是為了在poly remove好把poly 掏乾淨 及好填work function metal填的好； 而在poly fin top 到poly fin bottom中Fin bottom的poly做的寬是為了降DIBL 如示意圖： https://i.imgur.com/TY6kV9J.jpg
不知道我的認知上是否有誤以及示意圖這樣畫是否正確，謝謝！ -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 27.53.139.160 (臺灣) ※ 文章網址: https://www.ptt.cc/bbs/comm_and_RF/M.1693277463.A.715.html
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12/27 20:55, 2年前 , 1F
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