[問題] ADS挑選MOS尺寸問題

看板comm_and_RF作者 (口口口tall)時間6年前 (2017/07/25 14:28), 6年前編輯推噓7(7推 0噓 6→)
留言13則, 7人參與, 最新討論串1/1
現在小弟正在鑽研LNA 最近試著挑選MOS的尺寸 是用ADS中DesignGuide裡面的model去挑選 可是模擬出來的結果有點奇怪 增益和noise都是跟尺寸有類似負相關的結果 照理來說應該是尺寸越小 noise會越大 使用的製程是90nm的 想麻煩板友幫忙解惑一下 -- ︵_︵ 　　　︵ノ し︵ 　 　( ・ ・　 ) 百變怪 ! 　　 ） ╰—╯ （"　　 　　（　　　 　 ） 　　　`-ㄧ一一︶′ -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 140.120.108.77 ※ 文章網址: https://www.ptt.cc/bbs/comm_and_RF/M.1500964115.A.8DC.html
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07/25 16:41, , 1F
current density的角度來看呢？
07/25 16:41, 1F
推
07/25 23:07, , 2F
尺寸大=>寄生電容大&輸入/出阻抗變小
07/25 23:07, 2F
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07/25 23:07, , 3F
可能會反而使你增益變低
07/25 23:07, 3F
推
07/25 23:50, , 4F
不是很懂design guide的model是90nm?
07/25 23:50, 4F
那個ADS裡面附的電路 90nm是我自己用的MOS製程
推
07/26 10:27, , 5F
你是去比較nf min嗎？
07/26 10:27, 5F
是 比較NFmin 然後調尺寸 ※ 編輯: yis000000 (140.120.108.77), 07/26/2017 12:01:58
推
07/26 14:54, , 6F
請問一下你照理說的size越小 nf min
07/26 14:54, 6F
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07/26 14:54, , 7F
越小是怎麼來的？我記得有學過nf mi
07/26 14:54, 7F
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07/26 14:54, , 8F
n的公式是和Cgs和gm有關 Cgs在分子g
07/26 14:54, 8F
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07/26 14:54, , 9F
m在分母
07/26 14:54, 9F
推
07/28 02:32, , 10F
NFmin只跟Bias Point有關 是Ropt會隨尺寸變
07/28 02:32, 10F
推
07/31 23:43, , 11F
去google一下1F講的current density跟LNA
07/31 23:43, 11F
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07/31 23:43, , 12F
的關係就知道怎麼挑size了
07/31 23:43, 12F
推
08/15 08:39, , 13F
什麼topology?
08/15 08:39, 13F
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