Fw: [問題] 想請問不同金屬靶材造成電壓反轉現象為何
※ [本文轉錄自 Electronics 看板 #1Jl_qLWT ]
作者: ptu (機動部隊) 看板: Electronics
標題: [問題] 想請問不同金屬靶材造成電壓反轉現象為何
時間: Fri Jul 11 23:04:49 2014
小弟不才~~在半導體公司擔任製程
負責PVD金屬濺鍍方面~~使用的靶材
有多種材質~如AL/Ti/W~~等等
一般來說~~這些PVD CHMBER在靶材厚度改變的時候
DC VOLTAGE在靶材全新(厚度最厚)的狀況下
VOLTAGE都處於高電壓輸出~~隨著靶材厚度變薄
的情形下~~VOLTAGE開始變低~~但奇怪的是
當厚度薄到一個程度的時候~~電壓卻上升了
而且連帶影響沉積速率(越變越快)~~這個現象
一直想不懂~~是否能有大大幫忙解惑
目前想到的想法如下~~
在厚度由厚變薄時~~沉積速率下降
我想到的是~~因為靶材距離WAFER越拉越遠~~
所以走的路徑變長~~故沉積速率越來越慢
而厚度薄到一個程度之後~~發生電壓反轉上升
沉積速率變快~~這個現象我想到的是
因POWER輸出會經過靶材~~靶材因厚度變薄
路徑阻抗變低~~故相同POWER輸出下~~輸入端與輸出端
耗損電阻變低~~故輸出電壓上升~~當輸出電壓上升時
電漿中的離子接收到的能量變大~就會產生沉積速率上升
但是以上想法~~都沒辦法解釋為何在厚度由厚變薄
的情形下~~輸出電壓反而下降
不知道我這個想法~~是不是哪裡有出問題~~
或是有更正確的解釋~~~還麻煩板上強者大大
幫忙解惑~~~感謝
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推
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