[請益] LNA電晶體偏壓
這陣子開始接觸主動元件電路，
發現有好多問題連關鍵字都不知道該怎麼找。
最近試做兩級串接電晶體的LNA，匹配電路和偏壓都是Lumped RLC。
電晶體已經被指定用Avago的某pHEMT，
前後兩級我選擇用同樣的偏壓(Vds=3V，Ids=40mA)去實現，
下載Avago網站的S2P檔去模擬，世界是如此的美好。
但是實作時就發現問題大了：
特性跑掉就不提了，但是前後級的兩顆電晶體在偏電路完全相同的情形下，
很奇怪的為何Ids電流，一顆電晶體跑到43mA，另一個只有9mA?
我仔細檢查所有的DC block，已確保DC偏壓電路在兩顆電晶體是完全隔離的，
重複實作另一塊板子也是一樣的情形。
另外，
*這個電路工作在1GHz以下，以網路分析儀量測K值到8.5GHz都大於1。
*若直接將9mA電晶體的Vgs直接外掛power supply變動Vgs，電流也是上不去(燒壞除外:p)
不知道這個問題是否有人也遇過，可否提供關鍵字讓我去找paper study??
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◆ From: 36.236.4.39
※ 編輯: Meyo 來自: 114.40.158.105 (07/11 09:37)
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感謝回應，
更換結果，還是一樣，電晶體並無損壞。
我的偏壓電路是參照avago的被動偏壓架構去放的。
www.avagotech.com/docs/AV01-0621EN
只是它是單級，我把它改成兩級串接。
兩級的偏壓電阻完全一模一樣，但是電流就是天差地遠，所以才覺得困惑。
※ 編輯: Meyo 來自: 114.40.158.105 (07/11 17:31)
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最後發現是偏壓電路裡的一顆電阻掛了，
換上大功率電阻特性就對了。
感謝各位提供的建議。
※ 編輯: Meyo 來自: 36.236.10.209 (07/15 22:55)
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