[問題] 半導體物理問題
各位半導體物理大師
有一問題想請教
麻煩幫忙解答
題目：
一個ideal Si PN juction,
P-type的阻值為1歐姆cm,
其recombination lifetime τn = 10的-6次方s,
N-type的阻值為0.2歐姆cm,
τp = 10的-8次方s,
請回答下列問題；
A. Built-in votage?
B. 當順向偏壓為0.589V，請計算個空乏區與neutral區邊界的少數載子密度。
C.畫出B小題整個PN -diode之majority與MINORITY CARRIER的分佈。
謝謝
--
※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc)
◆ From: 140.120.121.109