[問題] 想請問MOS FET 通道產生的問題

看板comm_and_RF作者 (hghg)時間13年前 (2010/08/26 22:45), 編輯推噓1(1推 0噓 5→)
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如題 想請問依個NMOS 是如何產生其通道的呢? 1 由+VG 將P基版之少數載子吸至SIO2 疑問 P基版之少數載子濃度不是非常低嗎 真的能當通道?? 2 由+VG 將 兩端N+ 之多數載子吸至SIO2 疑問 NEAMEN沒這樣寫 且如果是這樣的話 要V threshhole 臨界電壓作啥 請問是1 OR2 -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc) ◆ From: 220.143.156.152
推
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2
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可以解釋一下嗎 大大 = =
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通道產生是1,Vg超過Vt就會成為強反轉
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2的話,在某些HV MOSFET會有這種應用
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可以降低Rdson
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但是是drift region的多數載子,而非N+
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