[新聞] 台積電3奈米差點背鍋！最新爆料 i15發熱
台積電3奈米差點背鍋！最新爆料：i15發熱禍首是1零件
14:152023/10/02
中時新聞網 郭宜欣
蘋果iPhone 15 Pro系列新機出現容易過熱的問題。（示意圖／路透社）
iPhone 15 Pro系列新機出現容易過熱的毛病，外界一度以為是台積電3奈米的問題，但蘋
果官方上周末發聲明表示，主要是iOS 17系統的漏洞與第三方應用程式（APP）交互作用
下所導致。此外，有業內人士爆料，罪魁禍首恐怕是規格升級的DRAM（動態隨機存取記憶
體）造成運行龐大負擔。
知名科技爆料者Revegnus在社群軟體X（原名Twitter）上引述一位熟悉蘋果半導體業務的
達人說法，「幾乎已經確定iPhone 15系列的DRAM是發燙的罪魁禍首，規格升級的DRAM為
了配合資料處理速度，消耗了更多電力，這個過程中就會產生熱。」
Revegnus也提到，該名業內人士認為，此問題可能會在一至兩個月內解決，並已經排除其
他會引起過熱的可能性。而TechInsights先前拆解iPhone 15 Pro新機後發現，搭載的DRA
M是美光最先進的D1β LPDDR5 DRAM晶片。
此前，南韓媒體將iPhone 15過熱原因指向台積電3奈米製程，並提到此跡象可能是FinFET
製程技術已經到達極限，而提早在3奈米轉進GAA製程的三星將有突破點，且如果市場對台
積電3奈米存疑，客戶可能會轉向或同時採用三星的產品，引起熱烈討論。
https://www.chinatimes.com/realtimenews/20231002002786-260410
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