[新聞] 1奈米之戰延燒，IBM與三星宣布聯手研發出1奈米以下新電晶體技術

看板Tech_Job作者zxcvxx (zxcvxx)時間4年前 (2021/12/13 17:32)推噓7(8推 1噓 11→)

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1奈米之戰延燒，IBM與三星宣布聯手研發出1奈米以下新電晶體技術 https://bit.ly/3ICRHEO 三星與IBM聯合於2021年12月國際電子元件會議（International Electron Devices Meeting；IEDM），宣布研發出突破1奈米製程以下的新電晶體技術。這是一種在晶片上垂直堆疊電晶體的新設計。目前的處理器和單晶片，是將電晶體平放在矽表面上，然後電流從一側流向另一側。然而，三星與IBM則宣稱研發出垂直傳輸場效應電晶體（Vertical Transport Field Effect Transistors；VTFET），是透過彼此垂直堆疊之下，讓電流垂直流動來達成。 VTFET設計有兩個優點。首先，可以繞過許多性能限制，將摩爾定律擴展到1奈米瓶頸之外物理限制。更重要的是，由於電流更大，該設計減少了能源浪費。根據這兩家公司的估計，VTFET將使處理器的速度比採用FinFET電晶體設計的晶片快了兩倍，且功耗降低85%。也就是說，採用這種電晶體設計的晶片可能有朝一日允許手機一次充電之下，可以使用整整一周的時間。此外，它還可以使某些需要能源密集型任務（包括：加密採礦）變得更加節能，對於環境的影響也變得較小。由於，這是實驗室做出來的結果，因此IBM和三星都尚未透露他們計劃何時將該設計商業化。台積電方面，2021年5月中旬，台積電聯手台大與MIT才研發出單層（Monolayers）或二維（two-dimensional）材料結合半金屬鉍（Bi）能達到極低的電阻，接近量子極限，有助於實現半導體1奈米以下的艱鉅挑戰。英特爾方面，2021年7月表示，其目標是在2024年之前完成埃級（Angstrom-scale）晶片的設計，也就是1奈米晶片設計。英特爾計劃使用其新的英特爾20A節點和RibbonFET電晶體來完成這一壯舉。根據Global Market Insights預計2027年全球半導體製造設備市場銷售額可超越900億美元。其中，二維技術在2020年佔據了超過30%的營收比例，原因是該架構提供了多種功能，例如堅固的結構、低功耗和低成本營運。其也認為合作開發基於二維材料的IC是值得關注的領域。因為在1奈米晶片中使用二維材料可以顯著降低半導體中的電阻並增強電流，且較有機會在較早階段進入實際量產，這是其優勢。這也是IBM與三星無法透露採用VTFET 技術的1奈米製程何時可以進入量產的原因。畢竟，研發是一回事，能否進入量產又是另一回事了！ -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 203.145.192.245 (臺灣) ※ 文章網址: https://www.ptt.cc/bbs/Tech_Job/M.1639387966.A.EF1.html

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enso

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enso

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niniko

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