[新聞] SiC技術門檻高 鴻海買廠恐先賠5年
https://ec.ltn.com.tw/article/paper/1465355
SiC技術門檻高 鴻海買廠恐先賠5年
2021/08/07 05:30
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鴻海前天公布買下旺宏位於竹科的6吋晶圓廠,董事長劉揚偉(右)表示,將會當集團半
導體事業群總部,作為氮化矽研發基地與生產線。(記者洪友芳攝)
〔記者洪友芳/新竹報導〕鴻海(2317)以25.2億元買下旺宏(2337)位於竹科6吋晶圓
廠,將發展電動車需求的第三代半導體碳化矽(SiC)功率元件;半導體業界紛認為,SiC
技術門檻高,鴻海花高價買廠,也要再花數十億元投資相關設備,技術來源尚未確定,半
導體業估這投資恐至少要先賠5年。
投資相關設備需數十億
針對買下旺宏廠發展SiC功率元件,鴻海董事長劉揚偉5日於簽約記者會上也提到,未來還
要投資數十億。
第三代半導體包括碳化矽(SiC)、氮化鎵(GaN)等材料的功率元件,特斯拉電動車就是
採用SiC,鴻海董事長劉揚偉表示,車用強調安全,電動車需要快速充電,但同時要承受
高電壓與高電流,才能散熱快,比起其他功率元件,SiC功率元件擁有上述優越特性,畢
竟車用牽涉到安全與性能,鴻海購買6吋晶圓廠,選擇作為SiC研發與小量生產的基地,也
會跟歐美等供應商外購。
半導體業界指出,SiC技術門檻高,科銳(Cree)、英飛凌(Infineon)、羅姆(ROHM)
等國際廠商,雖已跨足量產SiC領域,因SiC尚未大量商業化,目前價格昂貴,一片6吋SiC
晶圓高達2-3千美元;漢民集團董事長黃民奇被視為最有耐心耕耘前瞻技術,旗下的漢磊
(3707)是台灣唯一投入研發SiC超過10年的廠商,也建置4吋與6吋產線,但仍持續努力
改善良率,送客戶驗證,目前貢獻營運還不顯著,不過拜晶圓代工供不應求、漲價效應,
今年上半年才轉虧為盈。
劉揚偉表示,鴻海已跟國內機構開始進行SiC技術研發中;業界認為,顯見鴻海技術研發
還需時間,可能會尋求國際廠商技術授權較快。
旺宏6吋廠賣25.2億元,比業界預期高10多億元,鴻海還要添購數十億元投資量產SiC相關
設備,往後每年成本攤提恐要數億元以上,加上從研發到送客戶認證時間很長,往往要多
年,且鴻海算是半導體跨足晶圓廠的新秀,找誰來掌舵與整合晶圓廠團隊也是重要關鍵。
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