[新聞] 應用材料在晶片佈線大突破邏輯晶片微縮至3奈米

看板Tech_Job作者zxcvxx (zxcvxx)時間4年前 (2021/06/18 16:52)推噓3(4推 1噓 4→)

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應用材料在晶片佈線大突破邏輯晶片微縮至3奈米 https://bit.ly/2UaAaPv 美商應用材料（Applied Materials）是台積電供應鏈成員之一，宣布在晶片佈線技術大突破，促使邏輯晶片微縮到3奈米及更小尺寸。這也有助於台積電在3奈米製程開發。應用材料（Applied Materials）公司於2021年6月16日公布一種全新的EnduraCopper Barrier Seed IMS銅阻障層晶種整合性材料解決方案，可在高真空環境下將七種不同製程技術整合在同一套系統中，而且該高級邏輯晶片佈線的新方法可擴展先進邏輯晶片微縮到 3 奈米節點及更小尺寸。在晶片佈線方面的突破使邏輯擴展到 3 納米及以上在真空下將七種不同製程技術整合到一個系統中，將互連電阻減半新材料工程方法可提高晶片性能並降低功耗最新系統體現了應用材料公司成為客戶 PPACt 支持公司的戰略雖然尺寸減小有利於電晶體（transistor）性能，但互連佈線中的情況恰恰相反：較小的佈線具有更大的電阻，這會降低性能並增加功耗。如果沒有材料工程突破，從 7奈米節點縮到 3奈米節點，互連通孔電阻將增加 10 倍，從而抵消電晶體縮放的好處。應材公司表示已開發出一種名為 Endura ® Copper Barrier Seed IMS™的新材料工程解決方案。它是一種整合材料解決方案，在高真空下將七種不同的製程技術結合到一個系統中：ALD、PVD、CVD、銅回流、表面處理、界面工程和計量。這種組合用選擇性 ALD 取代了共形 ALD，消除了通孔界面處的高電阻勢壘。該解決方案還包括銅回流技術，可在狹窄的特徵中實現無空隙間隙填充。通孔接觸界面的電阻降低高達 50%，提高了晶片性能和功耗，並使邏輯縮放能夠持續到 3nm 及以上。應用材料公司表示：「一顆智慧型手機晶片內含數百億個銅導線，佈線已用掉晶片三分之一的功率。在真空中整合多種製程技術，讓我們能夠重製材料和結構，讓消費者擁有功能更強大的裝置及更長的電池使用時間。這項獨特的整合解決方案是專為協助客戶加快發展效能、功率和面積成本的技術藍圖。」 -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 49.216.175.13 (臺灣) ※ 文章網址: https://www.ptt.cc/bbs/Tech_Job/M.1624006332.A.E87.html

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vivid23

06/18 18:52, 4年前 , 1^F

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bnn

06/18 20:00, 4年前 , 2^F

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推

ucrxzero

06/18 21:48, 4年前 , 3^F

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