[新聞] 碳化矽SiC小檔案》第三代半導體材料 可取代部分矽晶圓
碳化矽SiC小檔案》第三代半導體材料 可取代部分矽晶圓
自由時報
https://ec.ltn.com.tw/article/paper/1353343
碳化矽（SiC）是第三代半導體材料，具備高導熱性、高穿透率、高飽和電子漂移速率和
寬能隙能等特性，可滿足現代電子技術對高溫、高功率、高壓、高頻、微型輕量化，以及
抗輻射等惡劣條件的新要求，是安定度非常高的化合物半導體。
至於應用面，以碳化矽製成的碳化矽晶圓（片）在效能上比目前矽晶圓表現更佳，多應用
在高壓高速產品，如高鐵、風力發電系統等重電設施，但未來在自駕車以及電動車的趨勢
下，碳化矽晶圓的高散熱優勢，即可取代部分矽晶圓，成為未來的發展趨勢
（記者張慧雯）
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