[新聞] 三星電子開始量產136層第六代V-NAND SSD
三星電子開始量產136層第六代V-NAND SSD
新聞來源:https://bit.ly/33fGDJ3
本文:
三星電子於2019年8月6日宣布,已開始批量生產250千兆字節(GB)SATA固態硬碟(SSD)
,該硬碟是一個三位元V-NAND,集成了該公司的第6代(1xx層)256千兆位(Gb)。目前
,已進行SSD交付給全球PC製造商。
該新款SSD基於超過100層的第六代V-NAND,具有快速的數據傳輸速率。
該公司稱其新的V-NAND利用3D記憶體提升,突破目前的電池堆疊限制。新產品為之前的9x
層單層結構增加了大約40%的單元。該公司構建由136層組成的導電模具疊層實現了這一
目標,然後從上到下垂直穿透圓柱形孔,形成均勻的3D電荷陷阱閃光(CTF)單元。該公
司稱這種方法為“通道孔蝕刻”(channel hole etching)技術。
隨著每個單元區域中的模具堆疊的高度增加,NAND閃存晶片往往更容易受到錯誤和讀取延
遲的影響。三星表示,它通過採用速度優化的電路設計克服了這些限制。
該公司表示,這種速度優化設計使其能夠提供超過300層的下一代V-NAND解決方案,只需
安裝三個電流堆即可構建,而不會影響晶片性能或可靠性。
利用高速和低功耗特性,三星計劃將擴大3D V-NAND版圖的範圍到下一代行動裝置和企業
伺服器等領域,還可針對高可靠性的汽車市場。
從企業的250 GB SSD開始,三星電子計劃在今年(2019)下半年提供512 Gb三位元V-NAND
SSD和eUFS。該公司還計劃從明年開始在其南韓Pyeongtaek園區第六代V-NAND解決方案擴
大生產,以滿足全球客戶的需求。
據市場研究公司IHS Markit表示,三星電子在今年第一季的DRAM市占率40.6%,NAND約
34.1%,排名第一。三星在DRAM市場上與SK海力士(29.8%)以及在NAND市場與東芝(
18.1%),仍保持一定領先。
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