[新聞] 首度突破100層 SK海力士宣布128層NAND
原文連結:
首度突破100層 SK海力士宣布128層NAND Flash開發量產
http://bit.ly/2RJALmh
原文內容:
SK海力士(SK Hynix)宣布領先業界,完成堆疊128層1Tb三階儲存單元(Triple Level Cell
;TLC)NAND Flash開發量產。回顧2018年10月,SK海力士才宣布完成堆疊96層NAND Flash
開發,2018年底進入量產,時隔不過8個月,SK海力士就順利突破100層堆疊天險,領先業
界量產堆疊128層NAND Flash。
綜合韓國經濟等的報導,2018年10月SK海力士才表示成功研發,採用CTF(Charge Trap
Flash)與PUC(Peri Under Cell)堆疊96層NAND Flash,結合PUC與CTF記憶單元結構,大幅
改善產品功能與生產力,預定2018年底進行量產。
時隔短短8個月,SK海力士26日公開表示,已完成堆疊128層NAND Flash產品的開發量產,
新一代產品將較堆疊96層產品,生產性提升40%、投資效率提高60%,預計2019年下半開始
量產銷售。
目前業界龍頭三星電子(Samsung Electronics),傳正在開發堆疊128層NAND Flash產品,
就堆疊層數而言,SK海力士領先三星。SK海力士進一步透露,目前正在開發堆疊176層
NAND Flash產品,將與堆疊128層NAND Flash採用相同平台,期望持續透過技術優勢,強
化NAND Flash事業競爭力。
心得/評論:
近期跌價雖然持續收斂,但除了最具成本競爭力的三星電子處於成本損益附近,其他NAND
廠商幾乎都陷入賠錢生產,若下半年的價格跌勢不止,甚至可能業界全面處於虧損,過去
2年來的風光獲利將在2019年回吐以彌補虧損。
--
※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 61.220.69.237 (臺灣)
※ 文章網址: https://www.ptt.cc/bbs/Tech_Job/M.1561528705.A.A0D.html
→
06/26 13:59,
4年前
, 1F
06/26 13:59, 1F
噓
06/26 14:30,
4年前
, 2F
06/26 14:30, 2F
→
06/26 15:08,
4年前
, 3F
06/26 15:08, 3F
推
06/26 15:22,
4年前
, 4F
06/26 15:22, 4F
推
06/26 15:24,
4年前
, 5F
06/26 15:24, 5F
推
06/26 15:24,
4年前
, 6F
06/26 15:24, 6F
→
06/26 16:05,
4年前
, 7F
06/26 16:05, 7F
→
06/26 16:06,
4年前
, 8F
06/26 16:06, 8F
→
06/26 16:07,
4年前
, 9F
06/26 16:07, 9F
推
06/26 16:33,
4年前
, 10F
06/26 16:33, 10F
推
06/26 16:53,
4年前
, 11F
06/26 16:53, 11F
→
06/26 17:18,
4年前
, 12F
06/26 17:18, 12F
推
06/26 22:52,
4年前
, 13F
06/26 22:52, 13F
→
06/26 22:52,
4年前
, 14F
06/26 22:52, 14F
推
06/27 00:05,
4年前
, 15F
06/27 00:05, 15F
推
06/27 01:41,
4年前
, 16F
06/27 01:41, 16F
推
06/27 09:23,
4年前
, 17F
06/27 09:23, 17F
噓
06/27 12:33,
4年前
, 18F
06/27 12:33, 18F
推
06/27 20:56,
4年前
, 19F
06/27 20:56, 19F
推
07/02 21:56,
4年前
, 20F
07/02 21:56, 20F