[新聞] 三星電子開發出第三代10奈米級DRAM
三星電子開發出第三代10奈米級DRAM
http://bit.ly/2FueZOU
據韓媒報導，三星電子已開發出業界首款第三代10奈米級（1z-nm）8 Gb雙倍數據速率（
DDR4）DRAM，準備來搶DRAM高端市場。
該公司表示，開發10奈米級1z-nm 8 Gb DDR4，在不使用Extreme Ultra-Violet（EUV）處
理，它已經突破了DRAM擴展的極限；與之前版本的10-nm DRAM相比，新DRAM的製造生產率
提高了20％以上。同時，僅花了16個月就突破技術，將批量生產第二代10奈米級（1y-nm
）8 Gb DDR4提升到第三代10奈米級DRAM。
新的DRAM有望幫助三星增強其業務競爭力，鞏固其在高端DRAM市場的領先地位，應用於包
括伺服器、圖形和移動設備等。
三星特別強調，該基於第三代10-nm級（1z）DRAM的PC DDR4模塊已達到所有全球中央處理
器（CPU）製造商的評估標準，能夠滿足全球IT客戶需求。
三星計劃在今年(2019)下半年批量生產該產品，以適應預計將於2020年推出的企業用下一
代伺服器和高端PC。該1z-nm DRAM也將為下一代DRAM接口（如DDR5，LPDDR5和GDDR6）的
過渡鋪路，這些接口將為未來的數位化新興產品提供服務。
目前，全球DRAM市場不佳，主要受到幾個因素的影響：全球經濟趨緩、美中貿易戰、
Intel的CPU缺貨問題未改善、智慧手機銷售不如預期，再加上伺服器庫存調整，消費者對
景氣缺乏信心，這些因素，都影響到記憶體的市況。目前，美光已經宣布記憶體減產，以
緩和市場供過於求的問題。
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半導體週期低谷到來，DRAM全球市場營收大跌，先前三星傳出將強化非記憶半導體業務。
目前各界分析師預估在2019年底半導體市場將回升。美光在21日宣布減產DRAM和NAND
Flash，而三星宣布開發第三代10奈米級DRAM，預估於2019年底量產，欲鞏固其高端DRAM
市場。
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