[新聞] 三星宣布2018-2020半導體工藝路線圖、將導入GAA於3奈米製程
三星宣布2018-2020半導體工藝路線圖、將導入GAA於3奈米製程
http://bit.ly/2wYfs76
三星電子剛於2018年9月4日在東京舉辦了“2018三星晶圓代工論壇(SFF Japan 2018)”
。自2017年,三星晶圓代工部門與三星電子的系統LSI業務分割後,成為獨立的基礎業務
部門後,每年舉辨的論壇,今年是第二次在日本舉行,來自日韓半導體製造商和生態系統
合作夥伴等60多家公司約300人參加。
以下摘述論壇主題演講簡報的內容:
三星晶圓代工部門總裁兼業務經理ES Jung表示,最受外界矚目的3奈米製程,2020年將首
度導入閘極全環(GAA)電晶體,這是下世代電晶體架構,同時搭配極紫外光(EUV)微影
技術,來突破物理限制極限。
依據三星公布的半導體工藝路線圖,預計今年(2018)年底前,導入EUV於7奈米製程,啟動
8LPP的改進版本(8nm的超低功耗)“8LPU”的生產,FinFET的5nm / 4nm在EUV在2019年
,在2020年執行生產3nm的導入EUV於新材料GAA。
對於5奈米和4奈米,針對FinFET進行了優化(距離最初的7奈米),該公司表示,4奈米將
成為最後一個採用FinFET製造的工藝。
對於7奈米,三星以EUV技術導入的半導體製程,預計2018年下半年投產;2019年將進一步
推出7奈米優化版,即5奈米和4奈米製程。
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