[請益] 微影時無法分辨二氧化矽與矽的差異

看板Tech_Job作者 (clinical lycanthropy)時間6年前 (2018/02/10 14:46), 6年前編輯推噓22(23推 1噓 28→)
留言52則, 24人參與, 6年前最新討論串1/1
不好意思 這類問題我認為有業界經驗的人會比較清楚 所以前來詢問 這個月我進行微感測器的製作 製程僅三道光罩製程 基板有事先沉積5000A的二氧化矽 目前進度是僅完成第一道光罩製程 即是：微影→BOE蝕刻→離子佈值→退火 目前於第二道光罩製程的微影上卡關 https://i.imgur.com/SyajyDr.jpg
https://i.imgur.com/KszApqi.jpg
將目前的試片 直接用顯微鏡照射能看到淺淺的圖型 但是一旦塗佈上光阻 就什麼都看不到了 https://i.imgur.com/lPyVeme.jpg
https://i.imgur.com/GYdFRq2.jpg
上面兩張圖是對準晶圓邊緣的校準記號 但是顯微鏡顯示卻是一片漆黑 原本想說因為我使用的是厚光阻AZ4620 就去中山借用了微影系統 他們使用的是AZ1500 塗佈後光阻厚度僅1.5um 但是當他們光罩對準機的光學顯微鏡一打下去 同樣是一片雪白 無法分辨矽與二氧化矽的差異 可是後來想想要是真的無法分辨矽與二氧化矽 那目前市面上的MOSFET到底是怎麼做出來的？ 我認為問題一定出在我製程的某個環節上 不好意思打擾大家 謝謝各位 -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 1.200.46.76 ※ 文章網址: https://www.ptt.cc/bbs/Tech_Job/M.1518245213.A.90B.html
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02/10 14:53, 6年前 , 1F
5000A太淺了吧 覺得應該看不到...
02/10 14:53, 1F
5000A其實算很厚了吧…
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02/10 15:16, 6年前 , 2F
光阻的折射率跟二氧化矽太接近了
02/10 15:16, 2F
※ 編輯: oway15 (1.200.46.76), 02/10/2018 15:23:29
推
02/10 15:23, 6年前 , 3F
就機台差異啊 當你有一台6000萬的機台 你就不會有這
02/10 15:23, 3F
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02/10 15:23, 6年前 , 4F
個問題了 學校呵呵
02/10 15:23, 4F
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02/10 15:32, 6年前 , 5F
列幾種可能：（1）第一道蝕刻吃太淺，導致align mark蓋
02/10 15:32, 5F
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02/10 15:32, 6年前 , 6F
上光阻後不明顯。（2）anneal的thermal budget沒算好，
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02/10 15:32, 6年前 , 7F
導致oxide還是amorphous。(3)確認第二道mask 是不是沒la
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02/10 15:32, 6年前 , 8F
yout align mark，很蠢，但是真的有可能……(4)OM or SE
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02/10 15:32, 6年前 , 9F
M設定錯誤，OM焦距對比調看看/SEM 能量調高點
02/10 15:32, 9F
您好 其實顯微鏡夠亮是看得到圖形的 但是那光線強度無法用於微影校正 應該會使光阻曝光… 當時於中山做完微影後 用他們的顯微鏡檢查是可以明顯判別的 不過如下圖所示 無法對準硬曝光的結果就是點都偏掉了 焦距與能量強度因為當時並非我操作 會再詢問謝謝 https://i.imgur.com/Q54CPqb.jpg
推
02/10 15:33, 6年前 , 10F
去問邱主任的實驗室學生
02/10 15:33, 10F
會問問看感謝
推
02/10 15:58, 6年前 , 11F
我覺得是p大說的3，la mark 問題 沒有或線寬太小
02/10 15:58, 11F
噓
02/10 16:04, 6年前 , 12F
1.5um 很厚好嗎...另外你跑錯地方了
02/10 16:04, 12F
NEMS版流量太低跑到這邊 真不好意思
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02/10 16:06, 6年前 , 13F
OM的DOF是nm等級的~你蓋那麼厚看不到前層是很正常
02/10 16:06, 13F
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02/10 16:12, 6年前 , 14F
4樓亂教 SEM只看的到當層~跟SEM一點關係都沒有
02/10 16:12, 14F
推
02/10 16:32, 6年前 , 15F
有沒有試過把光阻拔掉再去看一下alignment mark?
02/10 16:32, 15F
推
02/10 16:34, 6年前 , 16F
OM就看不到的話那和SEM就無關聯了
02/10 16:34, 16F
※ 編輯: oway15 (110.50.179.86), 02/10/2018 16:39:10
推
02/10 16:54, 6年前 , 17F
在MEMS來說1.5um是薄沒錯
02/10 16:54, 17F
推
02/10 17:00, 6年前 , 18F
你要不要試試看 整片不曝直接顯影 再拿去外面的OM或
02/10 17:00, 18F
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02/10 17:03, 6年前 , 19F
可能線寬太細了 外面強光看得到的話 可能把mark的線
02/10 17:03, 19F
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02/10 17:03, 6年前 , 20F
寬加大試試
02/10 17:03, 20F
推
02/10 17:07, 6年前 , 21F
Level sensor?
02/10 17:07, 21F
推
02/10 17:10, 6年前 , 22F
反正只要不是蝕刻沒吃出來或光阻流不進去 一切好談
02/10 17:10, 22F
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02/10 17:11, 6年前 , 23F
aligment mark的線寬不會影響你實際成品的功能
02/10 17:11, 23F
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02/10 17:32, 6年前 , 24F
如果你的AM只有0.5um深，看不到很正常
02/10 17:32, 24F
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02/10 18:06, 6年前 , 25F
同意樓上S大 我的意思就是5000A要當AM太淺了吧QQ
02/10 18:06, 25F
推
02/10 18:08, 6年前 , 26F
我之前學生時代做的MOS第二道光罩要對的AM是用metal ga
02/10 18:08, 26F
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02/10 18:08, 6年前 , 27F
te順便一起做的
02/10 18:08, 27F
推
02/10 18:24, 6年前 , 28F
製作前段STI的PR都很薄，因為resolution才夠，1.5 um這
02/10 18:24, 28F
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02/10 18:24, 6年前 , 29F
種都是後段甚至是封裝業在使用的
02/10 18:24, 29F
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02/10 19:34, 6年前 , 30F
封裝都馬十幾um在摳的
02/10 19:34, 30F
推
02/10 21:07, 6年前 , 31F
thermal budget不是這種用法吧?
02/10 21:07, 31F
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02/10 21:28, 6年前 , 32F
抱歉會錯意惹
02/10 21:28, 32F
推
02/10 21:48, 6年前 , 33F
電子顯微鏡看不到前層拉 業界都是用雷射光源反射訊號對
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02/10 21:48, 6年前 , 34F
準然後用可見光量測結果拉
02/10 21:48, 34F
推
02/10 22:15, 6年前 , 35F
你sio2離子佈值完就洗掉了吧，要一個KEY光罩先RIE基板吃
02/10 22:15, 35F
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02/10 22:15, 6年前 , 36F
出key圖形方便後面對準
02/10 22:15, 36F
推
02/11 08:01, 6年前 , 37F
以前用om勉強能看出500a深的Trench你這沒理由看不到
02/11 08:01, 37F
推
02/11 11:11, 6年前 , 38F
學校機台的問題，有個方法是可以用負光阻搭配oxide
02/11 11:11, 38F
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02/11 11:11, 6年前 , 39F
做微影變化
02/11 11:11, 39F
推
02/11 12:01, 6年前 , 40F
GG的N28開始double paterning製程段就有這樣狀況
02/11 12:01, 40F
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02/11 12:03, 6年前 , 41F
上光阻時有三層(有一層含Si),要搭配不同蝕刻薄膜的連續製程
02/11 12:03, 41F
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02/11 12:03, 6年前 , 42F
才能做完(我講的很模糊,關係人應該知道是哪段)
02/11 12:03, 42F
推
02/11 12:25, 6年前 , 43F
多一道光罩隨便co個金屬上去當AM不就好惹
02/11 12:25, 43F
推
02/11 14:39, 6年前 , 44F
一開始先在空地做alignment mark吧。選Au or Ti 加上
02/11 14:39, 44F
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02/11 14:39, 6年前 , 45F
lift off process
02/11 14:39, 45F
推
02/11 19:07, 6年前 , 46F
想法同上層,但你後面的mark應該要打掉重來，有金屬當mar
02/11 19:07, 46F
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02/11 19:07, 6年前 , 47F
k比較好
02/11 19:07, 47F
感謝各位指點 目前看來我最有可能做到的方法 就是沉積完二氧化矽之後 先微影出校準記號 後續沉積鈦＋白金後用金屬剝離法製作出圖形 然後才開始進行反應區製作 已經看到改善的方向了 感謝各位幫忙 謝謝
推
02/11 19:45, 6年前 , 48F
看不懂Orz
02/11 19:45, 48F
※ 編輯: oway15 (61.230.10.204), 02/11/2018 20:51:27 ※ 編輯: oway15 (61.230.10.204), 02/11/2018 20:52:00
推
02/12 22:34, 6年前 , 49F
同樓上，建議先作一個第0層mark，金屬比oxide的辨識度高
02/12 22:34, 49F
推
03/04 00:28, 6年前 , 50F
某S6大不要亂教好嗎...，STI層薄是因為DOF小，膜厚才薄
03/04 00:28, 50F
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03/04 00:28, 6年前 , 51F
，還有FEOL也是有光阻厚的層，有些離子注入層是使用厚
03/04 00:28, 51F
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03/04 00:28, 6年前 , 52F
光阻
03/04 00:28, 52F
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