[新聞] 三星量產第二代10奈米DDR4 DRAM消失

看板Tech_Job作者zzzz8931時間6年前 (2018/01/06 23:21)推噓2(4推 2噓 13→)

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三星量產第二代10奈米DDR4 DRAM http://0rz.tw/QaN0i 三星電子(Samsung Electronics)宣佈量產其第二代10奈米等級8Gb DDR4 DRAM，該元件速度號稱可達3,600 Mbps，而且不須使用極紫外光(EUV)技術。標示為10奈米等級的元件特徵尺寸為10~19奈米。三星記憶體事業部門總裁Gyoyoung Jin在該公司新聞聲明中指出，其第二代DDR4 DRAM的電路設計與製程新技術，讓該公司突破了「DRAM擴展性的主要障礙」，以迎合市場龐大需求；他並指出，三星將加速此新產品的量產，同時也積極擴大第一代DDR4 DRAM的產量。由於供不應求，DRAM晶片市場在今年一整年皆表現強勁，價格亦持續上揚；市場研究機構 IC Insights預期，2017年DRAM市場將達到74%的成長率，是自1994年以來的最大成長幅度。三星計劃在2018年的7奈米節點製程轉向採用EUV技術，不過EUV應用於DRAM量產的時程尚未明確；因為DRAM單元的結構相對簡單，業界普遍認為DRAM生產需要用到EUV的時間點，會比其他元件來得遲。三星表示，該公司生產的第二代10奈米等級DRAM因為採用了更先進的技術，可在速度、性能、效益方面超越第一代元件；新技術包括高敏感度的單元資料感測系統(cell data sensing system)以及進步的「空氣間隔」(air spacer)解決方案。根據三星的介紹，該資料感測系統能實現更精準確定每個記憶體單元內儲存的資料，提升電路整合度以及製造生產力；同時新一代元件在字元線(bit lines)周遭放置了空氣間隔，可降低寄生電容，達到更高等級的微縮以及快速的單元運作。三星表示，其第二代10奈米8Gb DRAM的生產力能比第一代提升30%，同時在性能與省電效益方面各有15%與10%的提升；新元件運作速度為每接腳3,600 Mbps，在2016年生產的第一代晶片運作速度則為3,200 Mbps。此外三星也指出，在第二代10奈米等級DRAM所採用的創新技術，將讓該公司能加速未來 DRAM晶片的問世，包括DDR5、HBM3、LPDDR5與GDDR6。編譯：Judith Cheng (參考原文： Samsung in Production of Second-gen 10nm DRAM，by Dylan McGrath) -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 1.160.8.125 ※ 文章網址: https://www.ptt.cc/bbs/Tech_Job/M.1515252063.A.12D.html

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