Re: [新聞] 應材宣布成功導入鈷材料取代銅，延續

看板Tech_Job作者 (專打不專業環團)時間7年前 (2017/05/19 19:01), 7年前編輯推噓34(34推 0噓 8→)
留言42則, 36人參與, 最新討論串1/1
由於這是個很有意思的題目，所以我稍微搜尋了一下相關的文獻 又由於蔽人在下我的英文很爛，且這不在我的專業領域內,若有錯誤請幫忙指正，若是有 這方面專業者請不吝指教 我使用的初始關鍵字為cobalt damascene(以下我簡稱為鈷製程),然後由reference搜尋到 相關的文獻,大致上說的是copper damascene(以下簡稱銅製程)在10nm世代終結(這裡的世 代就如同台積的16,10,7nm,非指damascene的pitch) 雖然說銅的電阻率比鈷還低很多，但是銅製程中的阻障層(barrier)並不容易再減少厚度 ，在銅電鍍的過程中會因為可填入銅的體積劇減，產生空隙(void) 因此10nm以下,需要改進阻障層的材質或是採用新的導體，也就是鈷 由於鈷可以使用無電電鍍底部成長型填充製程(electroless bottom up fill in),可以製 造 出無空隙(void free)導線，因次可藉次取代銅製程 對於一般半導體廠，銅製程依舊是最佳選擇，因為銅的電阻率比鈷低很多 對於台積、英特爾、***來說(我該提聯電嗎？),更先進的製程或許會採用鈷製程 而最有潛力的運用商，會是DRAM廠 在高深寬接觸窗( high aspect ratio contact)的金屬填充上，底部成長型填充是非常有 吸引力的誘因 以上，提供給想知道更多的人一點個人所知的訊息 -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 101.8.117.142 ※ 文章網址: https://www.ptt.cc/bbs/Tech_Job/M.1495191711.A.590.html
推
05/19 19:07, , 1F
長知識
05/19 19:07, 1F
推
05/19 19:13, , 2F
長知識+1
05/19 19:13, 2F
推
05/19 19:15, , 3F
推 謝謝分享
05/19 19:15, 3F
推
05/19 19:16, , 4F
推
05/19 19:16, 4F
推
05/19 19:21, , 5F
感謝 長知識了
05/19 19:21, 5F
推
05/19 19:26, , 6F
認真！！感謝
05/19 19:26, 6F
推
05/19 19:36, , 7F
受教了！
05/19 19:36, 7F
推
05/19 20:17, , 8F
謝謝分享
05/19 20:17, 8F
推
05/19 20:25, , 9F
推
05/19 20:25, 9F
推
05/19 20:28, , 10F
長知識了
05/19 20:28, 10F
→
05/19 20:28, , 11F
electroless 感覺是指化鍍,是的話藥水商應該很爽..
05/19 20:28, 11F
→
05/19 20:31, , 12F
bottom up fill in 有點像是深孔鍍膜...y
05/19 20:31, 12F
推
05/19 20:33, , 13F
受教了
05/19 20:33, 13F
推
05/19 20:39, , 14F
barrier是哪一層阿]
05/19 20:39, 14F
推
05/19 20:45, , 15F
electroless無電電鍍 用化學氧化還原法鍍
05/19 20:45, 15F
→
05/19 20:49, , 16F
barrier在銅的底下。感謝補充我不知道的部份
05/19 20:49, 16F
推
05/19 20:58, , 17F
推個
05/19 20:58, 17F
推
05/19 21:09, , 18F
我現在就在觀察雙晶銅的void 我難過qq
05/19 21:09, 18F
推
05/19 21:13, , 19F
應該很多人早就知道換成cobalt吧
05/19 21:13, 19F
推
05/19 21:15, , 20F
2 .3年前就在測試台積的Co pattern
05/19 21:15, 20F
推
05/19 21:20, , 21F
沒想到這麼快qq
05/19 21:20, 21F
推
05/19 21:32, , 22F
推～不過銅也能無電鍍啊
05/19 21:32, 22F
推
05/19 21:46, , 23F
感謝～長知識了
05/19 21:46, 23F
→
05/19 21:54, , 24F
感謝 原本看到記者說銅導電>鈷還以為是記者亂寫
05/19 21:54, 24F
→
05/19 21:55, , 25F
寫錯是<
05/19 21:55, 25F
推
05/19 21:55, , 26F
漲汁4了 推
05/19 21:55, 26F
推
05/19 22:18, , 27F
不過Co不是取代Cu吧？
05/19 22:18, 27F
推
05/19 22:48, , 28F
那鎳沒被嘗試過嗎?
05/19 22:48, 28F
推
05/19 23:10, , 29F
metal layer嗎?
05/19 23:10, 29F
推
05/19 23:32, , 30F
有人研究Co的電遷移嗎
05/19 23:32, 30F
推
05/20 00:08, , 31F
恩 不知道EM嚴不嚴重..
05/20 00:08, 31F
我依悉有印像看到 Electromigration還可以，但是我沒有特別的針對這個主題，因為我 只是想知道CU在7nm以下為什麼得改用CO
推
05/20 01:00, , 32F
感謝～
05/20 01:00, 32F
→
05/20 01:01, , 33F
想請教文中指的銅通常都是較高等級的無氧銅嗎
05/20 01:01, 33F
抱歉啊，我不是相關領域的，不知道是否是較高等級
推
05/20 01:27, , 34F
我看到的是(雖然文章有點舊2014) 把Co沉積在Ta/TaN上再
05/20 01:27, 34F
→
05/20 01:27, , 35F
fill Cu 可以 fill 更好減少 void https://goo.gl/tH3eUN
05/20 01:27, 35F
請參考這遍 https://goo.gl/IGrHlP
推
05/20 07:15, , 36F
AMAT設備商王朝的領土 又擴展了一大步
05/20 07:15, 36F
※ 編輯: negohsu (61.223.120.47), 05/20/2017 07:30:17
推
05/20 08:09, , 37F
推!
05/20 08:09, 37F
推
05/20 09:23, , 38F
無電鍍雜質很多耶！ foundry 可以接受？ 有點懷疑！
05/20 09:23, 38F
推
05/20 09:47, , 39F
感謝分享
05/20 09:47, 39F
推
05/20 22:46, , 40F
Gap-fill
05/20 22:46, 40F
推
05/22 00:32, , 41F
Cobalt EM比Cu好 用在連結上下層的via 基本上各層metal
05/22 00:32, 41F
→
05/22 00:32, , 42F
還是copper
05/22 00:32, 42F
‣ 更多 negohsu 的文章
文章代碼(AID): #1P7j2VMG (Tech_Job)