[新聞] 聯電躋身尖端製程供應商 完成14奈米FinFE
【范中興╱台北報導】晶圓代工廠聯電(2303)在先進製程有突破,聯電的股東會營業報
告書中指出,去年28奈米製程業績為前年的4倍,業績比重為10.3%,至於14奈米製程,聯
電除提升內部自行研發的鰭式場效電晶體(FinFET)技術,並與客戶合作,完成高效能
FinFET元件開發,SRAM良率已突破瓶頸。
6月7日股東常會
聯電將於6月7日召開股東常會,營業報告書去年在先進製程有不錯進展,28奈米製程業績
為前年的4倍,業績比重為10.3%,40奈米以下比重提升至34%,較前年拉升9.8個百分點。
聯電表示,去年投入121.75億元研發費用,強化研發與製造能力,持續優化28奈米製程技
術,成功開發出低漏電元件,並導入量產,大幅提升客戶產品競爭力。至於14奈米製程方
面,聯電除提升內部自行研發的FinFET技術,並與客戶合作,完成高效能FinFET元件開發
,SRAM(靜態隨機存取記憶體)良率已突破瓶頸。
在特殊技術應用方面也有不錯進展,聯電40奈米嵌入式快閃記憶體技術已進入驗證,並與
客戶持續進行28奈米嵌入式快閃記憶體開發;3D IC部分,成功開發出TSV(
Through-Silicon Via,直通矽穿孔)已進入量產;另外,聯電微機電(MEMS)客製化麥
克風元件也已累積出貨超過2億顆規模。
聯電去年獲利134.5億元,每股純益1.08元,董事會決議配發0.55元現金股息。而股東會
也將討論12.75億股私募案,聯電指出,為尋求與國內外廠商進行半導體技術合作或策略
聯盟機會,同時充實營運資金以因應未來營運所需,惟目前仍無具體方案。
http://www.appledaily.com.tw/appledaily/article/finance/20160519/37222911/
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