[請益] 關於D ram 廠目前的device

看板Tech_Job作者 (hello~world)時間9年前 (2015/05/12 23:41), 編輯推噓7(8推 1噓 12→)
留言21則, 11人參與, 最新討論串1/1
眾所皆知，d ram 廠的微縮速度比ㄧ搬晶圓 代工廠快，那想請問現在在d ram 廠的RD devices team ，以後d ram 也會用finfet device, 或是繼續跟著台積device 10/7 nm 的走向嗎？ -- Sent from my Android -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 118.165.192.25 ※ 文章網址: https://www.ptt.cc/bbs/Tech_Job/M.1431445285.A.DD3.html
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不會
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請問樓上，那還是用planer mosfat嗎？ 那這樣如何微
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縮下去呢？
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推
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會問這問題表示你不熟元件
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推
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FinFET本人都出來了!!
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推
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Capacitance 和 transistor 不同
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Field Effect Transistor 抱歉有錯字就想糾正的習慣
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推
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基本元件不同FinFET vs floating gate FET m06xu3u,31j4
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原理也不同 FinFET要降漏電 floating gate要調Vth
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DRAM用FinFET要怎麼存資料?
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作業自己寫吧
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想問的是說，以往當做d ram開關的 MOSFET 會被新的fi
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nfet之類來取代了嗎？
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為什麼要空那麼大一格..
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應該是拉長音的概念~
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推
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現在cell transistor 就已經是類似finFET的概念了
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推
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6F2早就脫離planer transistor的設計了
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我待过imi 跟ntc 6f2 有脫離嗎？
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推
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MU 是利用斜排放式擠6f2
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推
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Dram 跟flash 算HF logic 算min size
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噓
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但是目前台灣 T & U 微影製程屌打台灣dram, 眾所皆知
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