[新聞] 應材 推全新光照蝕刻系統
全球最大設備廠應用材料宣布推出Applied Centura Tetra Z光罩蝕刻系統,為業界所需
的新一代光微影術光罩蝕刻技術,繼續精進多重曝影尺寸縮放至10奈米以下。
應用材料表示,Centura Tetra Z系統所提供的光罩蝕刻技術,首創能夠進行10奈米以下
四重曝影的解決方案,獨步業界;世界級的光罩蝕刻效能與缺陷控制技術,符合邏輯與記
憶體裝置的先進圖案製程技術要求。
台積電雖然有意在10奈米及7奈米的部份光罩層導入極紫外光(EUV)新技術,但是10奈米
及7奈米的主要微影技術仍會以浸潤式(immersion)多重曝影技術為主。所以,應用材料
此次推出新一代光罩蝕刻系統,可支援10奈米以下,正好符合台積電及英特爾等國際大廠
需求。
應用材料表示,Centura Tetra Z系統透過新機台而再次擴充功能,提供所需的線寬(CD
)參數「埃(angstrom)」等級光罩精密度,滿足未來邏輯與記憶體裝置嚴苛的圖案製程
規格。應用材料光罩蝕刻產品處總經理瑞歐.耶拉曼奇里(Rao Yalamanchili)表示,蝕
刻技術是製造光罩的關鍵,使用193奈米波長來製作10奈米或7奈米的圖案,需要各種最佳
化技術,包括浸潤與多重曝影,高度仰賴光罩的運用。
Centura Tetra Z系統是最先進的光罩蝕刻技術,運用精密材料工程及電漿反應動力學的
精進科技,擴充了193奈米(193nm)微影技術的應用,能為新一代光學光罩蝕刻提供所需
的精確度,製作先進節點設計的圖案。
應用材料針對進階的鉻、矽化鉬(MoSI)、硬質光阻層和石英(熔矽石)蝕刻應用,開發
了Tetra Z工具,以製造先進的二元式與相位移光罩(phase-shift masks),優越的系統
展現了持續的技術創新與前所未見的線寬效能,將浸潤式微影術延伸應用於四重曝影與先
進的解析度強化技術,用以確保圖形轉移保真度的重要功能,包括了針對所有特徵尺寸進
行均勻的線性精密蝕刻,以及近乎零缺陷的圖案密度。
http://www.chinatimes.com/newspapers/20150511000077-260204
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http://en.wikipedia.org/wiki/Selected_area_diffraction
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