[討論] 能蝕刻出高深寬比的DRIE設備

看板Tech_Job作者 ( )時間11年前 (2015/01/01 20:16), 11年前編輯推噓10(10推 0噓 11→)
留言21則, 9人參與, 最新討論串1/1
請問一下 DRIE(Deep Reactive Ion Etching，深反應式離子蝕刻)設備 它可以在矽基板蝕刻出具有高深寬比，及良好垂直側壁 但如果想要在整片Wafer蝕刻出來的結果，深度要維持一致性 例如蝕刻深度要200μm，但整片wafer不同位置蝕刻的深度誤差要控制在1μm以下 即199μm~201μm之間，目前做出來的結果不容易達到， 側壁也能達到幾乎接近90° 請問有什麼設備機台，或是有更高階的設備，或產學單位可以達到這樣的規格要求呢？ 謝謝。 補充：或是有蝕刻設備的廠商也請提供。目前知道辛耘。 -- -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 61.227.217.90 ※ 文章網址: http://www.ptt.cc/bbs/Tech_Job/M.1420114602.A.D87.html
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01/01 20:23, , 1F
ICP? lower pressure+higher plasma density
01/01 20:23, 1F
推
01/01 20:26, , 2F
3DIC嗎？
01/01 20:26, 2F
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01/01 20:31, , 3F
ICP有用到SF6、 C4F8，DRIE用到SF6、 C4F8,3DIC或MEMS
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※ 編輯: jgwihi (61.227.217.90), 01/01/2015 20:34:39
推
01/01 21:00, , 4F
你要咬tsv的via嗎
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01/01 21:04, , 5F
TSV的via也是，用DRIE來蝕刻Trench,要放入其他component
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01/01 21:06, , 6F
TSV之後會用到
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推
01/01 21:07, , 7F
要看選擇的氣體跟停止層金屬
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01/01 21:08, , 8F
機台應該不難找人，如AMAT
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01/01 21:09, , 9F
氣體用SF6蝕刻，C4F8鈍化，停止層的金屬待確認
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推
01/01 23:02, , 10F
蝕刻設備就屬TEL跟LRM兩家比較強。你講的是uniformity 的
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推
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問題。跟chemistry沒有絕對關係。high Vdc比較有機會達到
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01/01 23:05, , 12F
不過可能會衍生出loading的問題。
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推
01/01 23:57, , 13F
小線寬si吃不動(約0.2um) 想問有其他方法嗎
01/01 23:57, 13F
推
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吃不用深 約0.2～0.5um 乾和ICP已是過 濕有晶向問題
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不知道有什麼方法 謝謝
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推
01/02 20:01, , 16F
小pitch吃不動有可能是polymer太重。蝕刻氣體選擇要注意。
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01/02 20:02, , 17F
如果使用比較depo的氣體 如C4F8 power就不要開太高。
01/02 20:02, 17F
推
01/03 07:36, , 18F
原PO不介意可至MEMS版討論，我不清楚業界但可提供學
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01/03 07:37, , 19F
界經驗。至於t兄的問題，十之八九是黃光沒做好。
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沒有找到MEMS版，請問版名是什麼呢？
01/04 20:00, 20F
推
01/07 16:09, , 21F
要求均勻性與under cut?
01/07 16:09, 21F
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