Fw: [徵求] 任何有關"黃光製程"問題

看板Tech_Job作者davidzwh (de luxe)時間11年前 (2014/08/14 13:20)推噓2(2推 0噓 3→)

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※ [本文轉錄自 Wanted 看板 #1Jx1uRhF ] 作者: davidzwh (de luxe) 看板: Wanted 標題: [徵求] 任何有關"黃光製程"問題時間: Thu Aug 14 10:25:25 2014 小弟有幸與台G黃光權威吳總會面8hr，強力徵求有關"黃光製程"任何疑難雜症回饋鄉民可代為詢問並一一回覆製程的問題，感謝！ (一) 製程概觀參考書籍: Introduction to Semiconductor Manufacturing Technology by Xiao 半導體製程主要分六個module, 分別是: 微影 (lithography) , 蝕刻 (etching) , 薄膜 (thin film), 擴散 (diffusion), 離子植入 (ion implant), 與化學機械研磨 (chemical mechanical polishing). 可以將電晶體的製程想成蓋房子,首先製作STI (shallow trench isolation)區分發揮電性的silocon與絕緣的silicon oxide.植入離子產生N/P well.製作poly gate當做電晶體的開關,接著製作contact,填入金屬稱為plug,一層層的metal line 蓋上去成為電路,每層metal layer間以via連接,最後有passivation layer保護. 習慣上把contact以前稱為FEOL (front end of line,前段),contact稱為 MEOL (middle end of line,中段),metal開始稱為BEOL (Back end of line, 後段). 其中,微影也常被稱為黃光,一部分原因是因為光阻中的PAG (photo-induced acid generator,曝光後產生酸,接著採取連鎖反應.)怕白光,所以無塵室內微影區是以黃光照明.黃光工程師的工作是以光阻曝光產生固定的pattern後,接著利用蝕刻將其轉印在晶圓上(如oxide, poly, metal, via layer, layer前的名字代表將產生半導體內的哪個單位).也有可能是光阻曝光後, 利用implant將ion植入silicon產生電性 (implant layer,其中包含: well, LDD, S/D, cell, I/O).與photo (黃光)合作關係最密切的就是etch與implant. (二) 黃光工作內容 (二-1) 參考書籍: 1. Sub-Half-Micron Lithography for ULSls by K.SUZUKI 2. Fundamental Principles of Optical Lithography: The Science of Microfabrication by Mack 3. Advanced Processes for 193-nm Immersion Lithography by Y. Wei and R. L. Brainard 4. Optical Lithography: Here is Why by B. J. Lin 5. Microlithography: Science and Technology by K. Suzuki and etl. 在介紹內容之前,要先解釋一下光罩的區別.依據製程與layout的差別,我們將光罩分為Bright field Dark tone如Oxide, poly layer,與Dark field bright tone如 metal, via layer.簡單的想法就是,以oxide為例,我們要將大部分的光阻都曝開才能往下etch製作STI,所以稱為bright field.對metal而言,我們是將少部分的光阻曝開往下etch,接著填入metal,所以稱為dark field.了解這個差別,較容易進一步了解各個layer所需要的pattern與解defect的recipe的調整. -- Dream as if you'll live forever. Live as if you'll die today. -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 210.64.118.125 ※ 文章網址: http://www.ptt.cc/bbs/Wanted/M.1407983131.A.ACF.html

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08/14 10:38, , 2^F

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08/14 10:55, , 3^F

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