[新聞] 三星宣佈量產全球首個3D垂直閃存V-NAND

看板Tech_Job作者 (yongqing)時間10年前 (2013/08/07 00:17), 編輯推噓3(300)
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Samsung 宣佈量產全球首個3D垂直閃存V-NAND http://digital.sina.com.hk/news/-7-1398104/1.html Samsung 電子在存儲技術上的領先的確無可匹敵,今天 又宣佈已經批量投產全球第一個採用3D垂直設計的NAND 閃存“V-NAND”。這年頭,3D堆疊已經成了潮流,處理 器、內存什麼的都要堆起來。 Samsung 的V-NAND單顆芯片容量128Gb(16GB),內部採 用 Samsung 獨有的垂直單元結構,通過3D CTF電荷捕 型獲閃存技術、垂直互連工藝技術來連接3D單元陣列。 Samsung 稱,這種新閃存的拓展能力是普通2xnm平面型 閃存的兩倍以上,可靠性提升最少2倍、最多10倍,而 且寫入性能也可達到1xnm NAND閃存的兩倍。Tb(128GB) 級別的閃存芯片指日可待。 早在2006年, Samsung 就研發了CTF技術。在這種結 構的NAND閃存中,電荷被臨時存放在氮化矽(SiN)材料 製成的非導電層上,而不是用浮動柵極阻斷相鄰單元 的干擾。現在, Samsung 又成功把這種結構推向了三 維層面。 此外, Samsung 自己研發的垂直互連工藝可以將最多 24個單元層堆疊在一起,並且使用特殊的蝕刻技術從 最高層到最底層打孔,實現各個層的電子互連。 Samsung 還驕傲地披露,經過十多年的研發,他們已 經在3D存儲技術上擁有300多項專利。 Samsung 的V-NAND閃存廣泛適用於消費電子和企業級 應用,包括嵌入式NAND存儲、固態硬盤。 -- ██◤ ▁▁ ██ █◤ 三三【嘴砲光殺砲】  L ██ ▃ ▃ ██ ▽○︹○ ◤◥ ◤◥ ◤◥ ◤◥ ◤◥ ◤◥ ◢███◣ ◥█ █◣ ◢███◣◥██◣◥██◣◥██◣◥██◣◥██◣◥███████ █ █◤ ▁▁ ◣◢ ◣◢ ◣◢ ◣◢ ◣◢ ◣◢ ◥███◤ ◢█ -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc) ◆ From: 1.34.192.232

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喊了這麼多年終於結果了~看來這兩年 Flash 產業又要洗牌了
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旺旺仙貝表示:
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明天看看旺旺股價
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