[討論] 3d nand的問題

看板Storage_Zone作者 (流星)時間6年前 (2017/11/12 19:08), 6年前編輯推噓2(2推 0噓 4→)
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有個問題蠻好奇的 3d nand 16奈米vs一般的20奈米 假設其他條件不變 請教哪個顆粒比較不會壞? 目前3d nand降低成本看不出來期待明年 -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 114.44.204.49 ※ 文章網址: https://www.ptt.cc/bbs/Storage_Zone/M.1510484902.A.DC2.html
推
11/12 19:34, 6年前 , 1F
3d nand，因為3d結構讓每一個cell的介電層電荷都比
11/12 19:34, 1F
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11/12 19:34, 6年前 , 2F
2d結構要豐沛許多
11/12 19:34, 2F
推
11/12 20:30, 6年前 , 3F
以目前的狀況來說3D NAND因為堆疊所以可以不用像2D
11/12 20:30, 3F
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11/12 20:30, 6年前 , 4F
一樣一直縮小製程
11/12 20:30, 4F
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11/12 21:26, 6年前 , 5F
CT跟FG明顯有差
11/12 21:26, 5F
請教CT跟FG是啥? ※ 編輯: IORIKOF (1.161.121.118), 11/12/2017 22:00:05
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11/12 22:11, 6年前 , 6F
電荷擷取、浮閘
11/12 22:11, 6F
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文章代碼(AID): #1Q22kct2 (Storage_Zone)