[新聞] MRAM下世代明星產品加速商業化進程

看板Stock作者ynlin1996 (.)時間3年前 (2020/08/17 13:49)推噓8(8推 0噓 8→)

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MRAM下世代明星產品加速商業化進程 1.原文連結： https://bit.ly/2DYfC5a 2.原文內容：隨著MRAM愈來愈火熱，成立於2007年的Spin Memory先在2018年的B輪融資中獲得5200萬美元，在2020年7月又獲得850萬美元融資的挹注，讓其融資總額達到1.58億美元。 2020年8月12日新創公司Spin Memory已開發出一種電晶體，可以大大提高MRAM和電阻性RAM的密度，稱之為Universal Selector。而且該技術還可以克服DRAM中一個名為Row Hammer的安全漏洞。簡單來說，Universal Selector允許晶片上記憶體得以實現比以往更高的性能，可靠性和密度，這將推動創新以滿足摩爾定律所預期的水準。這項創新技術除了讓MRAM和ReRAM產品受益之外，DRAM也獲得改進的空間。Universal Selector能讓這些記憶體採取新的佈局、更小的單元佔用空間並提高密度，進而帶來前所未有的更高水準的性能、可靠性和密度。此外，Universal Selector是第一個可解決DRAM的Row Hammer問題，同時又降低軟錯誤率（SER）和記憶體流失。現今Spin Memory正在與NASA合作研究這項技術的適用性，以開發低軟錯誤率和無Row Hammer的DRAM解決方案。 Spin Memory的Universal Selector為垂直單元電晶體提供了一種新穎的設計方法，目前已經提交給JEDEC工作小組，評估Row Hammer問題的解決方案。除了解決Row Hammer問題之外，Universal Selector還通過其4F2 DRAM位元配置將DRAM陣列密度提高了20%–35%。對MRAM、ReRAM和PCRAM之類的新興記憶體來說，Universal Selector使製造商能夠創建6F2 – 10F2的1T1R記憶體位元，從而使製造商能夠在相同面積內嵌入五倍的記憶體，進而提高記憶體密度，滿足AI，虛擬實境，邊緣運算等技術的需求。此外，Universal Selector還能讓MRAM達到與SRAM類似的性能水準。更重要的是，再結合Spin Memory公司的其他MRAM IP和創新技術，能克服MRAM的所有局限性，為產業提供了下一代非揮發性記憶體解決方案。近年來，隨著人工智慧、自動駕駛、5G與邊緣運算推動之下，DRAM、NAND型快閃記憶體與SRAM已經不能滿足未來需求，因而MRAM（磁阻隨機存取記憶體）逐漸成為市場焦點。因為MRAM結合了DRAM的成本優勢，SRAM的快速讀寫性能以及NAND快閃記憶體的非揮發性，因而吸引了台積電、三星和Globalfoundries等幾家晶圓代工廠商的注意與投入。總之，未來隨著各大晶圓廠大力支持，以及MRAM新創公司在技術上不斷蛻變，MRAM的發展腳步會加快，為新興記憶體技術的商業化進程帶來動力。 3.心得/評論： Spin Memory公司所開發的Universal Selector新技術，不只能幫助MRAM，亦能解決DRAM的問題，促進產品的進步。 -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 114.36.20.78 (臺灣) ※ 文章網址: https://www.ptt.cc/bbs/Stock/M.1597643360.A.D76.html

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gracefeather

08/17 14:09, 3年前 , 1^F

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ascaam

08/17 15:29, 3年前 , 2^F

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cecille

08/17 15:37, 3年前 , 3^F

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