[新聞] 全球首創！ 清大團隊研發出夢幻記憶體

看板Stock作者 (勤樸)時間6年前 (2019/03/14 23:08), 6年前編輯推噓19(22推 3噓 20→)
留言45則, 29人參與, 6年前最新討論串1/1
※ [本文轉錄自 cjol 信箱] 作者: pitalvlu (pital) 看板: Gossiping 標題: [新聞] 全球首創！ 清大團隊研發出夢幻記憶體 時間: Thu Mar 14 21:15:03 2019 1.媒體來源: 自由時報 2.完整新聞標題: 全球首創！清大團隊研發出夢幻記憶體關鍵技術 3.完整新聞內文: 〔記者簡惠茹／台北報導〕清華大學工學院長賴志煌結合物理系教授林秀豪，帶著博士生 林柏宏、楊博元組成跨領域團隊，研發出夢幻磁性記憶體MRAM新一代核心技術，率全球之 先透過電子自旋流來操控鐵磁、反鐵磁奈米膜層的磁性翻轉，研究今年2月登上材料領域 排名第一的國際期刊「自然材料」。 動態隨機存取記憶體DRMA不僅耗電，且體積縮小逐漸達到極限，三星、英特爾、台積電等 國際大廠近年紛紛投入磁阻式隨機存取記憶體MRAM的開發，業界預估今年即將有高密度MR AM量產，清華團隊更進一步找到最新關鍵核心技術，「透過電子自旋流來操控鐵磁、反鐵 磁奈米膜層的磁性翻轉」將有助於磁性記憶體容量的擴大。 由於磁性記憶體處理資料關鍵在於磁鐵的翻轉，過去僅能靠升高溫度造成翻轉，導致新一 代SOT MRAM難以達到量產，賴志煌表示，他們利用自旋流通過鐵磁、反鐵磁膜層，操控元 件交換偏壓的方向與大小來達成翻轉，技術也已經申請到美國、台灣與中國專利。 林秀豪解釋MRAM運作的原理，他說，電子不只帶電荷，還有另一項自旋特性，當電子自轉 時會產生極微小的磁矩，就像在晶片上形成千萬個微小的磁鐵，可以藉由小磁鐵的北極向 上或向下來決定0與1的記憶，因此，不運算時就不必供電，且就算運算到一半斷電，資料 也不會消失，未來採用磁性記憶體的手機、平板，待機時間至少可延長一倍。 MRAM處理資料的方式，文章第一作者林柏宏說明，是透過電子自旋流來控制磁鐵向上或向 下的方向，翻轉磁鐵來處理資料，過去因為室溫下熱能會讓磁鐵震動，磁鐵太小的時候就 會抵抗不住熱能隨機翻轉，所以在上方加上反鐵磁，就像夾子一樣固定住，但是又造成翻 轉困難，只能靠升高溫度並搭配大磁場才能翻轉。 賴志煌從2009年就開始研究磁性記憶體，他說，他們的重要成果是提供新穎結構和機制， 輕鬆做到翻轉，不翻轉的時候也讓磁鐵狀態保持穩定，他們在反鐵磁下面加上重金屬白金 ，電流通過會產生自旋電子流，透過自旋的軌道矩來翻轉鐵磁層，改變磁鐵和反鐵磁的交 互作用方向，控制夾子打開或夾緊。 賴志煌在投稿國際期刊時吃了不少苦頭，甚至還被懷疑是否為實驗受到熱源影響的「誤會 」，賴志煌說，他們只能拿出更強而有力的鐵證，及比最終刊出論文還長十倍的論述來佐 證，終於得到學界頂尖期刊的認可，這不僅是磁性記憶體的突破，也為自旋電子學的發展 帶來嶄新視野。 相關影音： https://youtu.be/Z7i8us3oaVk
https://i.imgur.com/t647qhN.jpg
清華大學工學院長賴志煌（左）結合物理系教授林秀豪（右），帶著博士生林柏宏（中） 、楊博元組成跨領域團隊，研發出夢幻磁性記憶體MRAM新一代核心技術。（清華大學提供 ） https://i.imgur.com/kygsfRM.jpg
文章第一作者清大材料系博士班三年級學生林柏宏。（清華大學提供） 4.完整新聞連結 (或短網址): http://bit.ly/2UwJjNS 心得：台灣理組真的好強 那汽車引擎是怎麼回事 要是商業化，肯定是大利多 大家看好國內哪些廠商？？ -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 49.217.165.14 ※ 文章網址: https://www.ptt.cc/bbs/Gossiping/M.1552569306.A.A7E.html ※ 編輯: cjol (219.68.46.61), 03/14/2019 23:09:56
噓
03/14 23:16, 6年前 , 1F
2330 其他回家睡覺吧
03/14 23:16, 1F
→
03/14 23:17, 6年前 , 2F
左中右搞錯了
03/14 23:17, 2F
推
03/14 23:18, 6年前 , 3F
「他們在反鐵磁下面加上重金屬白金」,感覺真的商業化成本
03/14 23:18, 3F
推
03/14 23:18, 6年前 , 4F
看好GG 台積 TSMC
03/14 23:18, 4F
→
03/14 23:18, 6年前 , 5F
也不低
03/14 23:18, 5F
→
03/14 23:19, 6年前 , 6F
能應用到商業上不知道要多久，不然只是又多題材炒股
03/14 23:19, 6F
推
03/14 23:19, 6年前 , 7F
三星早就有了
03/14 23:19, 7F
推
03/14 23:25, 6年前 , 8F
看到照片也覺得怪怪der
03/14 23:25, 8F
→
03/14 23:28, 6年前 , 9F
可能台灣都做飛機引擎
03/14 23:28, 9F
推
03/14 23:40, 6年前 , 10F
常看到台灣的學生研發出什麼，但最後都不了了之
03/14 23:40, 10F
→
03/14 23:40, 6年前 , 11F
是因為無法商業化嗎
03/14 23:40, 11F
推
03/14 23:49, 6年前 , 12F
台灣常有的事 研究來的東西沒有考慮量產跟商業模式是否
03/14 23:49, 12F
→
03/14 23:49, 6年前 , 13F
可行
03/14 23:49, 13F
噓
03/14 23:51, 6年前 , 14F
那期刊就學術期刊何來商業化
03/14 23:51, 14F
推
03/14 23:59, 6年前 , 15F
不是沒商業化 是有商業化你也不會知道…
03/14 23:59, 15F
推
03/15 00:03, 6年前 , 16F
有的是有10個人再做 誰先做出 但後來幾個慢出但技術超前
03/15 00:03, 16F
→
03/15 00:03, 6年前 , 17F
又商業化
03/15 00:03, 17F
推
03/15 00:17, 6年前 , 18F
工研院就是充滿這些人並產業合作啊
03/15 00:17, 18F
→
03/15 00:40, 6年前 , 19F
那我拿強力磁鐵在上面晃一下是不是什麼都沒了 ?
03/15 00:40, 19F
→
03/15 00:45, 6年前 , 20F
拿強力磁鐵在HDD上晃看看
03/15 00:45, 20F
推
03/15 00:50, 6年前 , 21F
研究突破歸突破，商轉效益是另一碼事，成本天險還是在那。
03/15 00:50, 21F
噓
03/15 01:35, 6年前 , 22F
會被頂尖期刊退 表示沒那麼神
03/15 01:35, 22F
→
03/15 01:35, 6年前 , 23F
商業化更不用講了
03/15 01:35, 23F
→
03/15 03:31, 6年前 , 24F
只問一句,如何etching?
03/15 03:31, 24F
推
03/15 06:10, 6年前 , 25F
不錯啊，技術與專利做好，就等看看有沒有廠商要做出
03/15 06:10, 25F
→
03/15 06:10, 6年前 , 26F
產品，看看效果如何。
03/15 06:10, 26F
→
03/15 06:11, 6年前 , 27F
台灣的廠商可能不想付專利費用，看美國有沒有廠商要付.
03/15 06:11, 27F
推
03/15 07:03, 6年前 , 28F
MRAM已經在做了啊，Pd Au本來就常用，哪有不能商業化，只
03/15 07:03, 28F
→
03/15 07:03, 6年前 , 29F
是這篇沒說哪個關鍵技術而已
03/15 07:03, 29F
推
03/15 07:24, 6年前 , 30F
嗯嗯 跟我想的差不多
03/15 07:24, 30F
→
03/15 07:28, 6年前 , 31F
成本低就能商業化，這恐怕還很久
03/15 07:28, 31F
推
03/15 07:30, 6年前 , 32F
Pt成本還算便宜的勒 如果看到Ru或Ir不就嚇尿？
03/15 07:30, 32F
推
03/15 07:45, 6年前 , 33F
台灣廠商只想用免錢的啦
03/15 07:45, 33F
推
03/15 08:09, 6年前 , 34F
回某樓，用Ar硬打就好了，不到10nm是能打多久？
03/15 08:09, 34F
→
03/15 08:10, 6年前 , 35F
Ru比Pt便宜喔，不過Pt也早就用很多，成本不是問題
03/15 08:10, 35F
→
03/15 08:11, 6年前 , 36F
MRAM的Ref Layer要用Pt，簡單省事
03/15 08:11, 36F
→
03/15 08:13, 6年前 , 37F
MRAM問題是蝕刻會汙染其他半導體
03/15 08:13, 37F
推
03/15 08:29, 6年前 , 38F
先做出來再改進到商業化 不都這樣
03/15 08:29, 38F
推
03/15 09:22, 6年前 , 39F
商業模式無法達到降低成本
03/15 09:22, 39F
推
03/15 10:05, 6年前 , 40F
請問DRMA是什麼新技術XDD
03/15 10:05, 40F
推
03/15 15:22, 6年前 , 41F
三星表示：
03/15 15:22, 41F
→
03/15 15:44, 6年前 , 42F
請問樓上.Ar硬打能打到足夠深度嗎？
03/15 15:44, 42F
→
03/15 15:48, 6年前 , 43F
profile能控制嗎？
03/15 15:48, 43F
推
03/15 22:42, 6年前 , 44F
中文實在看無，這是在講STT-MRAM嗎？
03/15 22:42, 44F
推
03/16 12:04, 6年前 , 45F
是講SOT-MRAM 不是STT
03/16 12:04, 45F
‣ 更多 cjol 的文章
文章代碼(AID): #1SYcw37Y (Stock)