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2.內容：
抗三星東芝新帝合建記憶體廠
投資41億美元 產能躍增2成
【陳智偉╱綜合外電報導】
東芝（TOSHIBA）傳計劃與新帝（SanDisk）合資4000億日圓（
約41億美元）在日本興建NAND flash（資料儲存型快閃記憶體
）新廠，為近2年最大手筆擴產投資，有助提高產能競爭力，
對抗三星電子（SAMSUNG）。
據《日本經濟新聞》報導，東芝將提升新廠製程技術，由目前
19奈米進一步提升至16~17奈米，可從單片晶圓上製造出更多
晶片，預計明年度（2014年4月起）完工投產，估計可擴增總
產能約2成。
高盛憂記憶體跌價
東芝與新帝原本就具有合資事業，合作生產NAND flash，此次
也將共同負擔建廠費用，新廠將座落在日本三重縣四日市。
東芝升級擴張NAND flash產能，有助於提高對三星的競爭力。
三星有意趁半導體景氣強勁復甦，化解智慧手機成長疲弱趨勢
，7月底宣布將加碼今年資本支出逾1兆韓元（9億美元）至24
兆韓元（215億美元），記憶體是其中一大重點。
不過，消息傳出後，高盛（Goldman Sachs）調降新帝投資評等
，擔心產能擴張恐帶動記憶體價格走跌，拖累新帝周一收盤下
跌1.5%，東芝周二則上漲1.4%收高，今年來漲幅擴大至27.6%。
日企提高資本支出
日本企業響應首相安倍晉三擴大投資、共同振興經濟呼籲，近
來紛紛擴大資本支出，日本汽車業龍頭、最大出口商豐田汽車
（TOYOTA）日前宣布將提高今年度資本與研發支出10%。
據日本國有日本開發銀行（Development Bank of Japan）調查
，日本主要大型企業今年度（2014年3月底止）計劃提高資本支
出10.3%，增幅較去年度2.9%大幅提高。
據日本開發銀行統計，不僅製造業計劃增加今年支出達10.6%，
非製造業包括交通、房地產、量販與零售業等，更積極擴大支
出，預估較去年度增加10.1%，為22年來非製造業支出首見2位
數成長。
3.心得/評論(必需填寫)：
打得贏三星新技術3D V-NAND嗎？
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