[新聞] 三星全球首次批量生產三維垂直結構NAND閃存已回收
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2013/08/06 12:33 KST
三星全球首次批量生產三維垂直結構NAND閃存
韓聯社首爾8月6日電 三星電子6日稱，公司在世界上首次批量生產“三維垂直結構NAND閃
存”(3D V-NAND)。該產品採用三星電子獨創技術--“三維筒形CTF(3D Charge Trap
Flash)單元結構”和“三維垂直疊層工藝技術“，較原有20奈米產品的集成度多出一倍。
產品容量達到128千兆位，為業界最高。
既有的NAND閃存產品由40多年前開發的斷層單元結構組成，但最近引進10奈米級工藝後，
單元間隔大幅縮小，導致干預現象嚴重。三星電子通過結構革新和工藝革新解決了該問題
。得利於此，書寫速度快了一倍以上，書寫次數增加到2-10倍，耗電量也減少一半。
業內認為，三星電子此次批量生產“三維垂直結構NAND閃存”(3D V-NAND)，將超越半導
體技術界限，有望出現1Tb以上大容量NAND閃存。三星電子經過長達十年的鑽研後成功開
發出該產品和批量生產，並已向韓國、美國和日本等各國提出了300多起專利申請。
NAND閃存是一種存儲晶片，在斷電時也不會造成數據丟失，廣泛用於存儲音樂、照片和視
頻的智慧手機。（完）
好險台廠沒做這塊@@
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※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc)
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