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討論串[問題] MOS電容器能帶移動
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Re: [問題] MOS電容器能帶移動
推噓0(0推 0噓 0→)留言0則，0人參與, 最新作者Philethan (Ethan)時間7年前 (2019/02/22 12:41), 7年前編輯資訊
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大大您好，小弟對此問題有些觀點，想與大大分享。如有錯誤之處，還請大大. 多多包涵並不吝告知。. 所謂的能帶粗略來說好像有兩種意思。第一種是指固體能階與晶格波向量之關係. (E vs. k)，第二種則是將第一種能帶圖中的在傳遞之傳導帶最低能量Ec與價帶最. 高能量Ev拿出來，這兩者是我們使用 Bolt
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[問題] MOS電容器能帶移動
推噓0(0推 0噓 1→)留言1則，0人參與, 7年前最新作者dry123 (dry123)時間7年前 (2019/02/19 08:33), 7年前編輯資訊
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請參考以下網址的圖. http://www.iue.tuwien.ac.at/phd/hehenberger/dissap2.html. 不知道下面的解釋是否正確，若是有不正確的地方還請各位提出。. 以 p-substrate在累積狀況(上排最左邊第一張)為例子. 此狀況下. Metal加負電壓，p
(還有319個字)
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