[問題] 半導體量子井公式
【出處】2004年論文
【題目】http://i.imgur.com/lAimaGV.jpg
【瓶頸】想請問一下式子1跟2是怎麼推導出來的或是用甚麼公式推到出來的
已經知道α是吸收系數L是量子井寬度，I是厚度，γ是輻射複合系數
但實在是不知道n×p=n^2=αI(L+1)/γ是怎麼出來的
翻了書跟論文都還是看不懂，也找不到相對應公式來源
希望板上神人可以幫忙
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