[問題] 有關PECVD

看板Physics作者 (oklala)時間6年前 (2018/03/11 16:11), 編輯推噓1(1推 0噓 1→)
留言2則, 2人參與, 6年前最新討論串1/1
想請問在PECVD沉積源材料的材料的差別上 使用TEOS 跟 SiH4形成SiO薄膜上有什麼優缺點嗎? 感謝各位大大... -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 114.40.180.209 ※ 文章網址: https://www.ptt.cc/bbs/Physics/M.1520755867.A.76C.html
推
03/16 06:33, 6年前 , 1F
感覺有點脫離物理版版旨，而且感覺是報告內容？
03/16 06:33, 1F
→
03/17 23:11, 6年前 , 2F
PTT理工學院半導體製程實驗室
03/17 23:11, 2F
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