[新聞] 超越石墨烯的2D材料群,有望成為「後Si」
2016/02/16 00:00
【日經BP社報導】使用組合只有1~3層原子那麼厚的“二維(2D)材料”,擁有不同性能
的器件有可能接連出現。比如,像羽衣一樣薄的柔性超高性能微處理器、感測器、大面積
超高效率的LED以及太陽能電池等。
2D材料的代表先驅——石墨烯由於具有很多出色的特性而被視作夢幻材料注1)。但是,
石墨烯只存在一大課題。那就是帶隙基本為0。雖然可以用於電極材料及模擬元件,但難
以用於邏輯電路。
注1)比如,石墨烯的理論載流子遷移率高達100萬cm2/Vs,並且導電率是銅(Cu)的大約
100倍,導熱率和機械強度跟金剛石一樣高等等。
最近幾年陸續發現的新型2D材料中,也有幾種具有帶隙的材料。其中具有代表性的是六方
氮化硼(h-BN)、過渡金屬的硫化物群——TMD♀、以及磷(P)的2D材料——磷烯(
Phosphorene)♀(圖1)。
♀TMD(Transition Metal Dichalcogenide)=由MX2結構構成的2D材料。M代表鉬(Mo)
及鎢(W)等過渡金屬。X代表硫璜(S)、硒(Se)、碲(Te)等硫族元素。MoS2雖然本
體的能帶結構為間接遷移型,但2D材料變成直接遷移型,高效發光。MoS2是n型半導體,
WS2是p型半導體。
♀磷烯(Phosphorene)=只由P構成的2D材料。由磷烯層疊而成的材料叫做“黑磷(
Black Phosphorus:BP)”,跟石墨一樣,顏色為黑色。半導體不管層數多少都是p型,
多層磷烯的帶隙為0.3eV。隨著層數減少,帶隙增大,單層磷烯的帶隙約為1.9eV。
h-BN、TMD及磷烯的原子間結構。h-BN的原子間結構跟石墨烯相近,厚度只有1個原子厚。
而TMD有3個原子厚,磷烯有2個原子厚。 (點擊放大)
h-BN的帶隙達到5.2eV,基本是絕緣體,但TMD、磷烯及由多層磷烯層疊而成的黑磷(BP)
的帶隙跟Si等比較接近,作為可代替已接近微細化極限的Si的“後Si”有力候補,開始備
受關注。
美國德大學奧斯汀分校推斷的採用各種2D材料及IGZO的TFT的性能範圍。色深的點表示該
大學試製的TFT的性能值。(b)中各材料的用途實例也是由該大學推斷的。(圖為本站根
據IEDM 2015的圖繪製而成)
美國德大學奧斯汀分校的研究人員期待採用TMD及BP的TFT實現柔性、輕量、超高性能的無
線設備等。目前已試製出TFT,並確認可在數G~數十GHz下工作。
以前的柔性器件的半導體材料候補是有機半導體及InGaZnO(IGZO)。但載流子遷移率最
高為數十cm2/Vs左右,難以實現GHz工作的器件。可以說隨著TMD和BP的問世,柔性器件的
性能差異消失了。
通過組合擴大可能性
2D材料越來越多意味著不僅可以彌補石墨烯的弱點,通過組合還可以擴大可實現的器件種
類。比如,TMD的一種——MoS2是n型半導體,而TMD的WS2及BP仍是p型,通過組合這些材
料,可以構成pn結,可以實現大面積的柔性LED、太陽能電池以及CMOS結構的半導體等。
有的組合還實現了跟石墨烯相近的性能。最近備受關注的是像三明治一樣將1片石墨烯夾
在2片h-BN之間的h-BN/石墨烯/h-BN。石墨烯容易受接觸材料的影響,這成為其性能降低
的一大原因。通過夾在帶隙大、事實上是絕緣體的h-BN之間,預計實際的器件也能夠實現
跟石墨烯的理論載流子遷移率——100萬cm2/Vs接近的性能(圖3)。最近的試製實例也獲
得了室溫下載流子遷移率為10萬cm2/Vs以上,極低溫下為35萬cm2/Vs的結果。
博世正在開發的利用霍爾效應的磁感測器(霍爾感測器)的性能基於各種材料的推斷值和
實測值等。霍爾元件的材料為將石墨烯夾在2片h-BN之間(a)。載流子遷移率在室溫下也
高達2萬~10萬cm2/Vs。試製感測器的霍爾係數是現有的基於Si的霍爾感測器的100倍。而
耗電量只有Si類元件的1/100(推斷值)。
實現高靈敏度、省電的磁感測器
德國車載設備汽車廠商德國羅伯特博世對此非常關注。該公司還自主開發出了各種感測器
,成為其業務支柱之一。該公司利用h-BN/石墨烯/h-BN試製出了利用霍爾效應的磁感測器
,左右靈敏度的霍爾係數RH的值為7000(圖3(b))。這是霍爾元件採用Si時的100倍,
也超過作為高靈敏霍爾元件材料廣為人知的InSb。並且理論上,耗電量只有Si的1/100。
面臨的課題是量產技術。“至少要等5年才能在試產線上量產高品質且大面積的元件”(
羅伯特博世公司從事Corporate Research的Robert Roelver)。
不過,石墨烯及其他2D材料的製造工藝也在加快開發速度。也有可能用不了5年,採用2D
材料的高性能器件就可以達到實用化。(記者:野澤 哲生)
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