[問題] 有關半導體多數載子擴散
有個粗淺但困擾了我幾天的問題
找過幾本教科書似乎沒什麼比較明確的解釋
因此想請教對半導體熟稔的版友們
當PN junction外加順向偏壓且處於steady state時
其電流特性可由少數載子注入後的擴散電流描述 (ideal diode eq)
而由Poisson's eq及continuity eq
可解得注入後的區域其net charge density隨時間指數遞減
若是多數載子的dielectric relaxation time夠短
那steady state下的半導體在時、空間各點都呈現電中性
但這意味著多數載子的濃度梯度與少數載子一致
那多數載子的濃度梯度應該也會造成一個擴散電流
並與少數載子的擴散電流反方向、有所抵消才對
為何在ideal diode eq上並未呈現這一點
不知道我的觀念是哪裡出錯
希望有大大能撥空解答我的問題
或者給個明確的方向或文獻我自己研究也可以
感謝
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