[問題] 半導體物理的疑惑

看板Physics作者 (阿鋼先生)時間9年前 (2014/10/17 15:43), 編輯推噓1(1推 0噓 19→)
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各位大大好，小弟最近學到carrier 的recombination 和 generation，在trap-assisted recombination 或稱為 R-G center recombination的地方，想問trap-assisted level 被當作在fermi level 的依據是什麼? -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 61.230.126.100 ※ 文章網址: http://www.ptt.cc/bbs/Physics/M.1413531839.A.370.html
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我是最近在一份lecture看到一段stament，說假設
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trap-assisted level只有一階，那它和fermi level的距
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離會很接近，而之後的推導都假設二者相同來簡化運算
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這些trap一般都是impurity level吧？那當然就在Fermi level
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上面啊。
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請問樓上的意思是?
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先想想為什麼會在band gap中間出現trap level：反正不是
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defect就是impurity
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考慮electron donor。T = 0 的時候non-interacting g.s.是
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valence band跟donor levels都填滿，Fermi energy當然就在
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最高的donor level上面
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然後，如果你也有把finite T chemical potential叫做Fermi
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energy的壞習慣，或者你把interaction打開了...
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等式當然就會跑掉，但是通常也差不了多少
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推
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我的理解是traps是散落在能帶之間，而在fermi level之下
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的traps會經常被占據，只有fermi level之上的才有辦法提
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供電子上去或下來(即G-R center) 故fermi level可以近似
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trap-assisted level
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請問s大，你的回答好像沒有提到怎麼樣才能近似?可能是
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我沒弄懂，可以把它點出來嗎
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