[問題] 325nm laser的穿透深度

看板Physics作者smartman123 (有業遊民)時間10年前 (2014/06/21 04:05)推噓3(3推 0噓 6→)

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最近做實驗查了一些資料 325nm He-Cd laser在Gallium Nitride(GaN)材料的穿透深度(penetration depth) 是100nm I=80W/cm^2 band-edge < 180nm 這應該表示上層薄膜只要超過180 nm下層膜應該是沒有訊號才對吧? 問題一我之前量藍光LED都可以量到量子井的訊號，但是他上層的p-GaN膜就超過200 nm了為什麼還量的到呢?? 問題二我雷射是Kimmon 30mW的，其beam diameter是 < 1.2 mm(1/e^2) 那光強度計算是 I=30mW/(1/4 *0.12^2*pi)=2.655 W/cm^2 與reference 80W/cm^2也差太多了吧!! 但如果逆推reference 80W/cm^2 * (1/4 *0.12^2*pi)=904 mW 這又太高了，He-Cd laser沒有超過 100mW的型號所以應該是我面積算錯了?? 請各位大大幫幫忙~感謝!! -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 122.118.50.241 ※ 文章網址: http://www.ptt.cc/bbs/Physics/M.1403294738.A.D7D.html

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oolontea

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smartman123

06/21 09:48, , 2^F

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yeahbo

06/21 11:16, , 3^F

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